พิมพ์หน้า
FDMD8680
Dual MOSFET, PowerTrench, N Channel, 80 V, 80 V, 66 A, 66 A, 3300 µohm
ภาพใช้เพื่อวัตถุประสงค์เพื่อแสดงตัวอย่างเท่านั้น โปรดดูรายละเอียดของผลิตภัณฑ์
ผู้ผลิตONSEMI
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิตFDMD8680สำเนา
รหัสสินค้า
ม้วนตัดแบ่ง2617742RL
เทปตัด2617742
หมายเลขชิ้นส่วนของคุณ
ไม่ได้ผลิตแล้ว
ตัวเลือกบรรจุภัณฑ์
ข้อมูลผลิตภัณฑ์
ผู้ผลิตONSEMI
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิตFDMD8680สำเนา
รหัสสินค้า
ม้วนตัดแบ่ง2617742RL
เทปตัด2617742
เอกสารข้อมูลทางเทคนิค
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds N Channel80V
Drain Source Voltage Vds P Channel80V
Continuous Drain Current Id N Channel66A
Continuous Drain Current Id P Channel66A
Drain Source On State Resistance N Channel3300µohm
Drain Source On State Resistance P Channel3300µohm
Transistor Case StylePQFN
No. of Pins8Pins
Power Dissipation N Channel39W
Power Dissipation P Channel39W
Operating Temperature Max150°C
Product Range-
Qualification-
SVHCLead (23-Jan-2024)
ข้อมูลจำเพาะทางเทคนิค
Channel Type
N Channel
Drain Source Voltage Vds P Channel
80V
Continuous Drain Current Id P Channel
66A
Drain Source On State Resistance P Channel
3300µohm
No. of Pins
8Pins
Power Dissipation P Channel
39W
Product Range
-
MSL
MSL 1 - Unlimited
Drain Source Voltage Vds N Channel
80V
Continuous Drain Current Id N Channel
66A
Drain Source On State Resistance N Channel
3300µohm
Transistor Case Style
PQFN
Power Dissipation N Channel
39W
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
SVHC
Lead (23-Jan-2024)
เอกสารทางเทคนิค (2)
ผลิตภัณฑ์ที่เกี่ยวข้อง
พบผลิตภัณฑ์จำนวน3
กฎหมายและปัจจัยแวดล้อม
ประเทศต้นกำเนิด:
ประเทศสุดท้ายที่ดำเนินกระบวนการผลิตที่สำคัญประเทศต้นกำเนิด:Philippines
ประเทศสุดท้ายที่ดำเนินกระบวนการผลิตที่สำคัญ
ประเทศสุดท้ายที่ดำเนินกระบวนการผลิตที่สำคัญประเทศต้นกำเนิด:Philippines
ประเทศสุดท้ายที่ดำเนินกระบวนการผลิตที่สำคัญ
หมายเลขพิกัดอัตราภาษี:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
เป็นไปตามข้อกำหนด RoHS:ใช่
RoHS
การใช้สารพาทาเลตตามระเบียบ RoHS:ใช่
RoHS
SVHC:Lead (23-Jan-2024)
ดาวน์โหลดหนังสือรับรองมาตรฐานของผลิตภัณฑ์
หนังสือรับรองมาตรฐานของผลิตภัณฑ์
น้ำหนัก (กก.):.000378