พิมพ์หน้า
FDG6320C
Dual MOSFET, Complementary N and P Channel, 25 V, 25 V, 220 mA, 220 mA, 4 ohm
ภาพใช้เพื่อวัตถุประสงค์เพื่อแสดงตัวอย่างเท่านั้น โปรดดูรายละเอียดของผลิตภัณฑ์
ผู้ผลิตONSEMI
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิตFDG6320Cสำเนา
รหัสสินค้า
ม้วนตัดแบ่ง1467972RL
เทปตัด1467972
หมายเลขชิ้นส่วนของคุณ
ไม่ได้ผลิตแล้ว
ตัวเลือกบรรจุภัณฑ์
ข้อมูลผลิตภัณฑ์
ผู้ผลิตONSEMI
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิตFDG6320Cสำเนา
รหัสสินค้า
ม้วนตัดแบ่ง1467972RL
เทปตัด1467972
เอกสารข้อมูลทางเทคนิค
Channel TypeComplementary N and P Channel
Drain Source Voltage Vds N Channel25V
Drain Source Voltage Vds P Channel25V
Continuous Drain Current Id N Channel220mA
Continuous Drain Current Id P Channel220mA
Transistor Case StyleSC-70
No. of Pins6Pins
Power Dissipation N Channel300mW
Power Dissipation P Channel300mW
Operating Temperature Max150°C
Product Range-
Qualification-
ภาพรวมของผลิตภัณฑ์
The FDG6320C is a dual N/P-channel logic level enhancement-mode MOSFET with high cell density and DMOS technology. This very high density process is especially tailored to minimize ON-state resistance. This device has been designed especially for low voltage applications as a replacement for bipolar digital transistors and small signal MOSFETs. Since bias resistors are not required, this dual digital FET can replace several different digital transistors, with different bias resistor values.
- Very small package outline
- Very low level gate drive requirements allowing direct operation in 3V circuits (VGS (th) <lt/>1.5V)
- Gate-source Zener for ESD ruggedness
การใช้งาน
Industrial, Power Management
ข้อมูลจำเพาะทางเทคนิค
Channel Type
Complementary N and P Channel
Drain Source Voltage Vds P Channel
25V
Continuous Drain Current Id P Channel
220mA
No. of Pins
6Pins
Power Dissipation P Channel
300mW
Product Range
-
Drain Source Voltage Vds N Channel
25V
Continuous Drain Current Id N Channel
220mA
Transistor Case Style
SC-70
Power Dissipation N Channel
300mW
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
เอกสารทางเทคนิค (3)
ผลิตภัณฑ์ที่เกี่ยวข้อง
พบผลิตภัณฑ์จำนวน2
กฎหมายและปัจจัยแวดล้อม
ประเทศต้นกำเนิด:
ประเทศสุดท้ายที่ดำเนินกระบวนการผลิตที่สำคัญประเทศต้นกำเนิด:United States
ประเทศสุดท้ายที่ดำเนินกระบวนการผลิตที่สำคัญ
ประเทศสุดท้ายที่ดำเนินกระบวนการผลิตที่สำคัญประเทศต้นกำเนิด:United States
ประเทศสุดท้ายที่ดำเนินกระบวนการผลิตที่สำคัญ
หมายเลขพิกัดอัตราภาษี:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
เป็นไปตามข้อกำหนด RoHS:ใช่
RoHS
การใช้สารพาทาเลตตามระเบียบ RoHS:ใช่
RoHS
ดาวน์โหลดหนังสือรับรองมาตรฐานของผลิตภัณฑ์
หนังสือรับรองมาตรฐานของผลิตภัณฑ์
น้ำหนัก (กก.):.00001