พิมพ์หน้า
FDC637BNZ
Power MOSFET, N Channel, 20 V, 6.2 A, 0.021 ohm, SuperSOT, Surface Mount
ภาพใช้เพื่อวัตถุประสงค์เพื่อแสดงตัวอย่างเท่านั้น โปรดดูรายละเอียดของผลิตภัณฑ์
ผู้ผลิตONSEMI
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิตFDC637BNZสำเนา
ระยะเวลานำส่งมาตรฐานของผู้ผลิต54 สัปดาห์
รหัสสินค้า2322581
หมายเลขชิ้นส่วนของคุณ
1,806 ในสต็อก
3,000 คุณสามารถจองสินค้าได้ทันที
1,806 จัดส่งใน 3-4 วันทำการ(อังกฤษ สต็อก)
| จำนวน | ราคา (ราคาสินค้าไม่รวม vat) |
|---|---|
| 5+ | THB27.490 |
| 10+ | THB12.400 |
| 100+ | THB10.890 |
| 500+ | THB8.300 |
| 1000+ | THB6.900 |
| 5000+ | THB6.770 |
ราคาสำหรับสินค้า:Each
ขั้นต่ำ: 5
หลายรายการ: 5
THB137.45
บันทึกของรายการ
เพิ่มไปยังใบยืนยันคำสั่งซื้อ ใบแจ้งหนี้ และใบจัดส่งสินค้าสำหรับคำสั่งซื้อนี้เท่านั้น
ข้อมูลผลิตภัณฑ์
ผู้ผลิตONSEMI
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิตFDC637BNZสำเนา
ระยะเวลานำส่งมาตรฐานของผู้ผลิต54 สัปดาห์
รหัสสินค้า2322581
เอกสารข้อมูลทางเทคนิค
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds20V
Continuous Drain Current Id6.2A
Drain Source On State Resistance0.021ohm
Transistor Case StyleSuperSOT
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage4.5V
Gate Source Threshold Voltage Max800mV
Power Dissipation1.6W
No. of Pins6Pins
Operating Temperature Max150°C
Product Range-
Qualification-
SVHCNo SVHC (25-Jun-2025)
ภาพรวมของผลิตภัณฑ์
The FDC637BNZ is a 2.5V specified N-channel MOSFET produced using advanced PowerTrench® process. It has been especially tailored to minimize the ON-state resistance and yet maintain low gate charge for superior switching performance. It is designed to offer exceptional power dissipation in a very small footprint compared with bigger SO-8 and TSSOP-8 packages. It is suitable for use in DC-to-DC converter, load switching and battery protection applications.
- Fast switching speed
- High performance Trench technology for extremely low RDS (ON)
- Manufactured using green packaging material
- Halide-free
- 2kV typical HBM ESD protection level
- 8nC typical low gate charge
ข้อมูลจำเพาะทางเทคนิค
Channel Type
N Channel
Continuous Drain Current Id
6.2A
Transistor Case Style
SuperSOT
Rds(on) Test Voltage
4.5V
Power Dissipation
1.6W
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
SVHC
No SVHC (25-Jun-2025)
Drain Source Voltage Vds
20V
Drain Source On State Resistance
0.021ohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Gate Source Threshold Voltage Max
800mV
No. of Pins
6Pins
Product Range
-
MSL
MSL 1 - Unlimited
เอกสารทางเทคนิค (2)
ตัวเลือกสำหรับ FDC637BNZ
พบผลิตภัณฑ์จำนวน1
กฎหมายและปัจจัยแวดล้อม
ประเทศต้นกำเนิด:
ประเทศสุดท้ายที่ดำเนินกระบวนการผลิตที่สำคัญประเทศต้นกำเนิด:United States
ประเทศสุดท้ายที่ดำเนินกระบวนการผลิตที่สำคัญ
ประเทศสุดท้ายที่ดำเนินกระบวนการผลิตที่สำคัญประเทศต้นกำเนิด:United States
ประเทศสุดท้ายที่ดำเนินกระบวนการผลิตที่สำคัญ
หมายเลขพิกัดอัตราภาษี:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
เป็นไปตามข้อกำหนด RoHS:ใช่
RoHS
การใช้สารพาทาเลตตามระเบียบ RoHS:ใช่
RoHS
SVHC:No SVHC (25-Jun-2025)
ดาวน์โหลดหนังสือรับรองมาตรฐานของผลิตภัณฑ์
หนังสือรับรองมาตรฐานของผลิตภัณฑ์
น้ำหนัก (กก.):.01