พิมพ์หน้า
NTZD3152PT1G
Dual MOSFET, P Channel, 20 V, 20 V, 430 mA, 430 mA, 0.9 ohm
ภาพใช้เพื่อวัตถุประสงค์เพื่อแสดงตัวอย่างเท่านั้น โปรดดูรายละเอียดของผลิตภัณฑ์
ผู้ผลิตONSEMI
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิตNTZD3152PT1Gสำเนา
ระยะเวลานำส่งมาตรฐานของผู้ผลิต22 สัปดาห์
รหัสสินค้า
เต็มม้วน2442270
ม้วนตัดแบ่ง2845410RL
เทปตัด2845410
หมายเลขชิ้นส่วนของคุณ
6,131 ในสต็อก
อยากได้เพิ่มใช่ไหม
6,131 จัดส่งใน 3-4 วันทำการ(อังกฤษ สต็อก)
ตัวเลือกบรรจุภัณฑ์
| ประเภทบรรจุภัณฑ์ | จำนวน | ราคาต่อหน่วย: | ทั้งหมด |
|---|---|---|---|
| เทปตัด | 5 | THB7.760 | THB38.80 |
| ทั้งหมด ราคา (ราคาสินค้าไม่รวม vat) | THB38.80 | ||
เทปตัด & ม้วนตัดแบ่ง
| จำนวน | ราคา (ราคาสินค้าไม่รวม vat) |
|---|---|
| 5+ | THB7.760 |
| 50+ | THB5.080 |
| 250+ | THB3.670 |
| 1000+ | THB3.340 |
| 2000+ | THB3.040 |
เต็มม้วน
| จำนวน | ราคา (ราคาสินค้าไม่รวม vat) |
|---|---|
| 4000+ | THB2.000 |
| 12000+ | THB1.960 |
บันทึกของรายการ
เพิ่มไปยังใบยืนยันคำสั่งซื้อ ใบแจ้งหนี้ และใบจัดส่งสินค้าสำหรับคำสั่งซื้อนี้เท่านั้น
ข้อมูลผลิตภัณฑ์
ผู้ผลิตONSEMI
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิตNTZD3152PT1Gสำเนา
ระยะเวลานำส่งมาตรฐานของผู้ผลิต22 สัปดาห์
รหัสสินค้า
เต็มม้วน2442270
ม้วนตัดแบ่ง2845410RL
เทปตัด2845410
เอกสารข้อมูลทางเทคนิค
Channel TypeP Channel
Drain Source Voltage Vds N Channel20V
Drain Source Voltage Vds P Channel20V
Continuous Drain Current Id N Channel430mA
Continuous Drain Current Id P Channel430mA
Drain Source On State Resistance N Channel0.9ohm
Drain Source On State Resistance P Channel0.9ohm
Transistor Case StyleSOT-563
No. of Pins6Pins
Power Dissipation N Channel280mW
Power Dissipation P Channel280mW
Operating Temperature Max150°C
Product Range-
Qualification-
SVHCNo SVHC (25-Jun-2025)
ข้อมูลจำเพาะทางเทคนิค
Channel Type
P Channel
Drain Source Voltage Vds P Channel
20V
Continuous Drain Current Id P Channel
430mA
Drain Source On State Resistance P Channel
0.9ohm
No. of Pins
6Pins
Power Dissipation P Channel
280mW
Product Range
-
MSL
MSL 1 - Unlimited
Drain Source Voltage Vds N Channel
20V
Continuous Drain Current Id N Channel
430mA
Drain Source On State Resistance N Channel
0.9ohm
Transistor Case Style
SOT-563
Power Dissipation N Channel
280mW
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
SVHC
No SVHC (25-Jun-2025)
เอกสารทางเทคนิค (2)
กฎหมายและปัจจัยแวดล้อม
ประเทศต้นกำเนิด:
ประเทศสุดท้ายที่ดำเนินกระบวนการผลิตที่สำคัญประเทศต้นกำเนิด:China
ประเทศสุดท้ายที่ดำเนินกระบวนการผลิตที่สำคัญ
ประเทศสุดท้ายที่ดำเนินกระบวนการผลิตที่สำคัญประเทศต้นกำเนิด:China
ประเทศสุดท้ายที่ดำเนินกระบวนการผลิตที่สำคัญ
หมายเลขพิกัดอัตราภาษี:85412100
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
เป็นไปตามข้อกำหนด RoHS:ใช่
RoHS
การใช้สารพาทาเลตตามระเบียบ RoHS:ใช่
RoHS
SVHC:No SVHC (25-Jun-2025)
ดาวน์โหลดหนังสือรับรองมาตรฐานของผลิตภัณฑ์
หนังสือรับรองมาตรฐานของผลิตภัณฑ์
น้ำหนัก (กก.):.00001