พิมพ์หน้า
NTUD3170NZT5G
Dual MOSFET, N Channel, 20 V, 20 V, 220 mA, 220 mA, 0.75 ohm
ภาพใช้เพื่อวัตถุประสงค์เพื่อแสดงตัวอย่างเท่านั้น โปรดดูรายละเอียดของผลิตภัณฑ์
ผู้ผลิตONSEMI
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิตNTUD3170NZT5Gสำเนา
ระยะเวลานำส่งมาตรฐานของผู้ผลิต21 สัปดาห์
รหัสสินค้า
เต็มม้วน2442269
ม้วนตัดแบ่ง2533208RL
เทปตัด2533208
หมายเลขชิ้นส่วนของคุณ
2,974 ในสต็อก
อยากได้เพิ่มใช่ไหม
2,974 จัดส่งใน 3-4 วันทำการ(อังกฤษ สต็อก)
ตัวเลือกบรรจุภัณฑ์
| ประเภทบรรจุภัณฑ์ | จำนวน | ราคาต่อหน่วย: | ทั้งหมด |
|---|---|---|---|
| เทปตัด | 5 | THB12.320 | THB61.60 |
| ทั้งหมด ราคา (ราคาสินค้าไม่รวม vat) | THB61.60 | ||
เทปตัด & ม้วนตัดแบ่ง
| จำนวน | ราคา (ราคาสินค้าไม่รวม vat) |
|---|---|
| 5+ | THB12.320 |
| 50+ | THB7.860 |
| 250+ | THB5.190 |
| 1000+ | THB4.270 |
| 4000+ | THB3.510 |
เต็มม้วน
| จำนวน | ราคา (ราคาสินค้าไม่รวม vat) |
|---|---|
| 8000+ | THB3.440 |
| 24000+ | THB3.330 |
บันทึกของรายการ
เพิ่มไปยังใบยืนยันคำสั่งซื้อ ใบแจ้งหนี้ และใบจัดส่งสินค้าสำหรับคำสั่งซื้อนี้เท่านั้น
ข้อมูลผลิตภัณฑ์
ผู้ผลิตONSEMI
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิตNTUD3170NZT5Gสำเนา
ระยะเวลานำส่งมาตรฐานของผู้ผลิต21 สัปดาห์
รหัสสินค้า
เต็มม้วน2442269
ม้วนตัดแบ่ง2533208RL
เทปตัด2533208
เอกสารข้อมูลทางเทคนิค
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds N Channel20V
Drain Source Voltage Vds P Channel20V
Continuous Drain Current Id N Channel220mA
Continuous Drain Current Id P Channel220mA
Drain Source On State Resistance N Channel0.75ohm
Drain Source On State Resistance P Channel0.75ohm
Transistor Case StyleSOT-963
No. of Pins6Pins
Power Dissipation N Channel125mW
Power Dissipation P Channel125mW
Operating Temperature Max150°C
Product Range-
Qualification-
SVHCNo SVHC (25-Jun-2025)
ภาพรวมของผลิตภัณฑ์
The NTUD3170NZT5G is a dual N-channel Small Signal MOSFET offers a low RDS (ON) solution in the ultra small package. It is suitable for general purpose interfacing switch and analogue switch applications.
- 1.5V Gate voltage rating
- Ultra thin profile (<lt/>0.5mm)
- Fit easily into extremely thin environments such as portable electronics
การใช้งาน
Industrial, Power Management, Portable Devices
ข้อมูลจำเพาะทางเทคนิค
Channel Type
N Channel
Drain Source Voltage Vds P Channel
20V
Continuous Drain Current Id P Channel
220mA
Drain Source On State Resistance P Channel
0.75ohm
No. of Pins
6Pins
Power Dissipation P Channel
125mW
Product Range
-
MSL
MSL 1 - Unlimited
Drain Source Voltage Vds N Channel
20V
Continuous Drain Current Id N Channel
220mA
Drain Source On State Resistance N Channel
0.75ohm
Transistor Case Style
SOT-963
Power Dissipation N Channel
125mW
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
SVHC
No SVHC (25-Jun-2025)
เอกสารทางเทคนิค (1)
ผลิตภัณฑ์ที่เกี่ยวข้อง
พบผลิตภัณฑ์จำนวน2
กฎหมายและปัจจัยแวดล้อม
ประเทศต้นกำเนิด:
ประเทศสุดท้ายที่ดำเนินกระบวนการผลิตที่สำคัญประเทศต้นกำเนิด:China
ประเทศสุดท้ายที่ดำเนินกระบวนการผลิตที่สำคัญ
ประเทศสุดท้ายที่ดำเนินกระบวนการผลิตที่สำคัญประเทศต้นกำเนิด:China
ประเทศสุดท้ายที่ดำเนินกระบวนการผลิตที่สำคัญ
หมายเลขพิกัดอัตราภาษี:85412100
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
เป็นไปตามข้อกำหนด RoHS:ใช่
RoHS
การใช้สารพาทาเลตตามระเบียบ RoHS:ใช่
RoHS
SVHC:No SVHC (25-Jun-2025)
ดาวน์โหลดหนังสือรับรองมาตรฐานของผลิตภัณฑ์
หนังสือรับรองมาตรฐานของผลิตภัณฑ์
น้ำหนัก (กก.):.000237