พิมพ์หน้า
NTS4001NT1G
Power MOSFET, N Channel, 30 V, 270 mA, 1.5 ohm, SOT-323, Surface Mount
ภาพใช้เพื่อวัตถุประสงค์เพื่อแสดงตัวอย่างเท่านั้น โปรดดูรายละเอียดของผลิตภัณฑ์
ผู้ผลิตONSEMI
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิตNTS4001NT1Gสำเนา
ระยะเวลานำส่งมาตรฐานของผู้ผลิต22 สัปดาห์
รหัสสินค้า
เต็มม้วน2442263
ม้วนตัดแบ่ง1453633RL
เทปตัด1453633
หมายเลขชิ้นส่วนของคุณ
9,044 ในสต็อก
60,000 คุณสามารถจองสินค้าได้ทันที
9,044 จัดส่งใน 3-4 วันทำการ(อังกฤษ สต็อก)
ตัวเลือกบรรจุภัณฑ์
| ประเภทบรรจุภัณฑ์ | จำนวน | ราคาต่อหน่วย: | ทั้งหมด |
|---|---|---|---|
| เทปตัด | 5 | THB8.390 | THB41.95 |
| ทั้งหมด ราคา (ราคาสินค้าไม่รวม vat) | THB41.95 | ||
เทปตัด & ม้วนตัดแบ่ง
| จำนวน | ราคา (ราคาสินค้าไม่รวม vat) |
|---|---|
| 5+ | THB8.390 |
| 50+ | THB6.850 |
| 100+ | THB5.310 |
| 500+ | THB3.500 |
| 1500+ | THB3.430 |
เต็มม้วน
| จำนวน | ราคา (ราคาสินค้าไม่รวม vat) |
|---|---|
| 3000+ | THB3.360 |
| 9000+ | THB3.300 |
บันทึกของรายการ
เพิ่มไปยังใบยืนยันคำสั่งซื้อ ใบแจ้งหนี้ และใบจัดส่งสินค้าสำหรับคำสั่งซื้อนี้เท่านั้น
ข้อมูลผลิตภัณฑ์
ผู้ผลิตONSEMI
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิตNTS4001NT1Gสำเนา
ระยะเวลานำส่งมาตรฐานของผู้ผลิต22 สัปดาห์
รหัสสินค้า
เต็มม้วน2442263
ม้วนตัดแบ่ง1453633RL
เทปตัด1453633
เอกสารข้อมูลทางเทคนิค
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds30V
Continuous Drain Current Id270mA
Drain Source On State Resistance1.5ohm
Transistor Case StyleSOT-323
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage4V
Gate Source Threshold Voltage Max1.2V
Power Dissipation330mW
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max150°C
Product Range-
Qualification-
SVHCNo SVHC (25-Jun-2025)
ภาพรวมของผลิตภัณฑ์
NTS4001NT1G is a single N-channel small signal MOSFET. This device is AEC-Q101 qualified and PPAP capable. It is used in applications such as low-side load switch, Li-ion battery-supplied devices, cell phones, PDAs, DSC, buck converters, and level shifts.
- Low gate charge for fast switching
- ESD protected gate
- 270mA continuous drain current
- 800mA pulse drain current
- Drain-to-source breakdown voltage is 30V minimum at (VGS = 0V, ID = 100µA)
- Gate-to-source leakage current is ±1µA maximum at (VDS = 0V, VGS = ±10V)
- Input capacitance is 20pF typical at (VGS = 0V, f = 1.0MHz, VDS = 5.0V)
- Turn-on delay time is 17ns typical at (VGS = 4.5V, VDD = 5V, ID = 10mA, RG = 50 ohm)
- Gate threshold temperature coefficient is -3.4mV/°C typical at ((TJ = 25°C)
- Junction temperature range from -55°C to 150°C, SC-70 package
ข้อมูลจำเพาะทางเทคนิค
Channel Type
N Channel
Continuous Drain Current Id
270mA
Transistor Case Style
SOT-323
Rds(on) Test Voltage
4V
Power Dissipation
330mW
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
SVHC
No SVHC (25-Jun-2025)
Drain Source Voltage Vds
30V
Drain Source On State Resistance
1.5ohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Gate Source Threshold Voltage Max
1.2V
No. of Pins
3Pins
Product Range
-
MSL
MSL 1 - Unlimited
เอกสารทางเทคนิค (2)
ผลิตภัณฑ์ที่เกี่ยวข้อง
พบผลิตภัณฑ์จำนวน2
กฎหมายและปัจจัยแวดล้อม
ประเทศต้นกำเนิด:
ประเทศสุดท้ายที่ดำเนินกระบวนการผลิตที่สำคัญประเทศต้นกำเนิด:China
ประเทศสุดท้ายที่ดำเนินกระบวนการผลิตที่สำคัญ
ประเทศสุดท้ายที่ดำเนินกระบวนการผลิตที่สำคัญประเทศต้นกำเนิด:China
ประเทศสุดท้ายที่ดำเนินกระบวนการผลิตที่สำคัญ
หมายเลขพิกัดอัตราภาษี:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
เป็นไปตามข้อกำหนด RoHS:ใช่
RoHS
การใช้สารพาทาเลตตามระเบียบ RoHS:ใช่
RoHS
SVHC:No SVHC (25-Jun-2025)
ดาวน์โหลดหนังสือรับรองมาตรฐานของผลิตภัณฑ์
หนังสือรับรองมาตรฐานของผลิตภัณฑ์
น้ำหนัก (กก.):.000005