พิมพ์หน้า
NTJD4158CT1G
Dual MOSFET, Complementary N and P Channel, 30 V, 30 V, 250 mA, 250 mA, 1 ohm
ภาพใช้เพื่อวัตถุประสงค์เพื่อแสดงตัวอย่างเท่านั้น โปรดดูรายละเอียดของผลิตภัณฑ์
ผู้ผลิตONSEMI
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิตNTJD4158CT1Gสำเนา
รหัสสินค้า
เต็มม้วน2442225
ม้วนตัดแบ่ง2533193RL
เทปตัด2533193
หมายเลขชิ้นส่วนของคุณ
12,188 ในสต็อก
อยากได้เพิ่มใช่ไหม
12,188 จัดส่งใน 3-4 วันทำการ(อังกฤษ สต็อก)
ตัวเลือกบรรจุภัณฑ์
| ประเภทบรรจุภัณฑ์ | จำนวน | ราคาต่อหน่วย: | ทั้งหมด |
|---|---|---|---|
| เทปตัด | 5 | THB11.470 | THB57.35 |
| ทั้งหมด ราคา (ราคาสินค้าไม่รวม vat) | THB57.35 | ||
เทปตัด & ม้วนตัดแบ่ง
| จำนวน | ราคา (ราคาสินค้าไม่รวม vat) |
|---|---|
| 5+ | THB11.470 |
| 50+ | THB9.370 |
| 100+ | THB7.260 |
| 500+ | THB4.850 |
| 1500+ | THB4.760 |
เต็มม้วน
| จำนวน | ราคา (ราคาสินค้าไม่รวม vat) |
|---|---|
| 3000+ | THB3.440 |
| 9000+ | THB3.380 |
บันทึกของรายการ
เพิ่มไปยังใบยืนยันคำสั่งซื้อ ใบแจ้งหนี้ และใบจัดส่งสินค้าสำหรับคำสั่งซื้อนี้เท่านั้น
ข้อมูลผลิตภัณฑ์
ผู้ผลิตONSEMI
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิตNTJD4158CT1Gสำเนา
รหัสสินค้า
เต็มม้วน2442225
ม้วนตัดแบ่ง2533193RL
เทปตัด2533193
เอกสารข้อมูลทางเทคนิค
Channel TypeComplementary N and P Channel
Drain Source Voltage Vds N Channel30V
Drain Source Voltage Vds P Channel30V
Continuous Drain Current Id N Channel250mA
Continuous Drain Current Id P Channel250mA
Drain Source On State Resistance N Channel1ohm
Drain Source On State Resistance P Channel1ohm
Transistor Case StyleSC-88
No. of Pins6Pins
Power Dissipation N Channel270mW
Power Dissipation P Channel270mW
Operating Temperature Max150°C
Product Range-
Qualification-
SVHCNo SVHC (25-Jun-2025)
ภาพรวมของผลิตภัณฑ์
The NTJD4158CT1G is a N/P-channel complementary Small Signal MOSFET designed for cell phones, MP3s, digital cameras and PDAs. It is suitable for DC-to-DC conversion, load management and load switch applications.
- Leading 20V Trench for low RDS (ON) performance
- ESD protected gate
- Small footprint
การใช้งาน
Industrial, Power Management
ข้อมูลจำเพาะทางเทคนิค
Channel Type
Complementary N and P Channel
Drain Source Voltage Vds P Channel
30V
Continuous Drain Current Id P Channel
250mA
Drain Source On State Resistance P Channel
1ohm
No. of Pins
6Pins
Power Dissipation P Channel
270mW
Product Range
-
MSL
MSL 1 - Unlimited
Drain Source Voltage Vds N Channel
30V
Continuous Drain Current Id N Channel
250mA
Drain Source On State Resistance N Channel
1ohm
Transistor Case Style
SC-88
Power Dissipation N Channel
270mW
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
SVHC
No SVHC (25-Jun-2025)
เอกสารทางเทคนิค (2)
ผลิตภัณฑ์ที่เกี่ยวข้อง
พบผลิตภัณฑ์จำนวน1
กฎหมายและปัจจัยแวดล้อม
ประเทศต้นกำเนิด:
ประเทศสุดท้ายที่ดำเนินกระบวนการผลิตที่สำคัญประเทศต้นกำเนิด:China
ประเทศสุดท้ายที่ดำเนินกระบวนการผลิตที่สำคัญ
ประเทศสุดท้ายที่ดำเนินกระบวนการผลิตที่สำคัญประเทศต้นกำเนิด:China
ประเทศสุดท้ายที่ดำเนินกระบวนการผลิตที่สำคัญ
หมายเลขพิกัดอัตราภาษี:85412100
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
เป็นไปตามข้อกำหนด RoHS:ใช่
RoHS
การใช้สารพาทาเลตตามระเบียบ RoHS:ใช่
RoHS
SVHC:No SVHC (25-Jun-2025)
ดาวน์โหลดหนังสือรับรองมาตรฐานของผลิตภัณฑ์
หนังสือรับรองมาตรฐานของผลิตภัณฑ์
น้ำหนัก (กก.):.000016