พิมพ์หน้า
ภาพใช้เพื่อวัตถุประสงค์เพื่อแสดงตัวอย่างเท่านั้น โปรดดูรายละเอียดของผลิตภัณฑ์

ไม่ได้ผลิตแล้ว
ข้อมูลผลิตภัณฑ์
ผู้ผลิตONSEMI
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิตNTHD4508NT1Gสำเนา
รหัสสินค้า2317625
เอกสารข้อมูลทางเทคนิค
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds N Channel20V
Drain Source Voltage Vds P Channel20V
Continuous Drain Current Id N Channel4.1A
Continuous Drain Current Id P Channel4.1A
Transistor Case StyleChipFET
No. of Pins8Pins
Power Dissipation N Channel2.1W
Power Dissipation P Channel2.1W
Operating Temperature Max150°C
Product Range-
Qualification-
ภาพรวมของผลิตภัณฑ์
The NTHD4508NT1G is a ChipFET™ dual N-channel Power MOSFET designed for battery and low side switching in portable equipment such as MP3 players, cell phones, DSCs and PDAs. It is suitable for DC-to-DC buck/boost converter and level shifting applications.
- Low RDS (ON) and fast switching
- Excellent thermal capabilities where heat transfer is required
การใช้งาน
Industrial, Power Management, Portable Devices
คำเตือน
Market demand for this product has caused an extension in leadtimes. Delivery dates may fluctuate. Product exempt from discounts.
ข้อมูลจำเพาะทางเทคนิค
Channel Type
N Channel
Drain Source Voltage Vds P Channel
20V
Continuous Drain Current Id P Channel
4.1A
No. of Pins
8Pins
Power Dissipation P Channel
2.1W
Product Range
-
Drain Source Voltage Vds N Channel
20V
Continuous Drain Current Id N Channel
4.1A
Transistor Case Style
ChipFET
Power Dissipation N Channel
2.1W
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
เอกสารทางเทคนิค (3)
กฎหมายและปัจจัยแวดล้อม
ประเทศต้นกำเนิด:
ประเทศสุดท้ายที่ดำเนินกระบวนการผลิตที่สำคัญประเทศต้นกำเนิด:Malaysia
ประเทศสุดท้ายที่ดำเนินกระบวนการผลิตที่สำคัญ
ประเทศสุดท้ายที่ดำเนินกระบวนการผลิตที่สำคัญประเทศต้นกำเนิด:Malaysia
ประเทศสุดท้ายที่ดำเนินกระบวนการผลิตที่สำคัญ
หมายเลขพิกัดอัตราภาษี:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
เป็นไปตามข้อกำหนด RoHS:ใช่
RoHS
การใช้สารพาทาเลตตามระเบียบ RoHS:ใช่
RoHS
ดาวน์โหลดหนังสือรับรองมาตรฐานของผลิตภัณฑ์
หนังสือรับรองมาตรฐานของผลิตภัณฑ์
น้ำหนัก (กก.):.000005
