พิมพ์หน้า
NTE4153NT1G
Power MOSFET, N Channel, 20 V, 915 mA, 0.23 ohm, SC-89, Surface Mount
ภาพใช้เพื่อวัตถุประสงค์เพื่อแสดงตัวอย่างเท่านั้น โปรดดูรายละเอียดของผลิตภัณฑ์
| ผู้ผลิต | ONSEMI |
|---|---|
| หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต | NTE4153NT1Gสำเนา |
| ระยะเวลานำส่งมาตรฐานของผู้ผลิต | 21 สัปดาห์ |
| รหัสสินค้า | เต็มม้วน2317887 เทปตัด2464118 เทปตัด2464118RL |
| หมายเลขชิ้นส่วนของคุณ | |
| เอกสารข้อมูลทางเทคนิค |
42,543 ในสต็อก
อยากได้เพิ่มใช่ไหม
42,543 จัดส่งใน 3-4 วันทำการ(อังกฤษ สต็อก)
ตัวเลือกบรรจุภัณฑ์
| ประเภทบรรจุภัณฑ์ | จำนวน | ราคาต่อหน่วย: | ทั้งหมด |
|---|---|---|---|
| เทปตัด | 100 | THB5.830 | THB583.00 |
| ทั้งหมด ราคา (ราคาสินค้าไม่รวม vat) | THB583.00 | ||
เทปตัด
| จำนวน | ราคา (ราคาสินค้าไม่รวม vat) |
|---|---|
| 100+ | THB5.830 |
| 500+ | THB4.350 |
| 1500+ | THB4.270 |
เต็มม้วน
| จำนวน | ราคา (ราคาสินค้าไม่รวม vat) |
|---|---|
| 3000+ | THB2.680 |
| 9000+ | THB2.630 |
บันทึกของรายการ
เพิ่มไปยังใบยืนยันคำสั่งซื้อ ใบแจ้งหนี้ และใบจัดส่งสินค้าสำหรับคำสั่งซื้อนี้เท่านั้น
ข้อมูลผลิตภัณฑ์
| ผู้ผลิต | ONSEMI |
|---|---|
| หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต | NTE4153NT1Gสำเนา |
| ระยะเวลานำส่งมาตรฐานของผู้ผลิต | 21 สัปดาห์ |
| รหัสสินค้า | เต็มม้วน2317887 เทปตัด2464118 เทปตัด2464118RL |
| เอกสารข้อมูลทางเทคนิค | |
| Channel Type | N Channel |
| Drain Source Voltage Vds | 20V |
| Continuous Drain Current Id | 915mA |
| Drain Source On State Resistance | 0.23ohm |
| Transistor Case Style | SC-89 |
| Transistor Mounting | Surface Mount |
| Rds(on) Test Voltage | 4.5V |
| Gate Source Threshold Voltage Max | 760mV |
| Power Dissipation | 300mW |
| No. of Pins | 3Pins |
| Operating Temperature Max | 150°C |
| Product Range | - |
| Qualification | AEC-Q101 |
| MSL | MSL 1 - Unlimited |
| SVHC | No SVHC (25-Jun-2025) |
ภาพรวมของผลิตภัณฑ์
The NTE4153NT1G is a N-channel Small Signal MOSFET offers 20V drain source voltage and 915mA continuous drain current. It is suitable for load/power switches, power supply converter circuits, battery management, portables like cell phones, PDAs, digital cameras and pagers.
- Low RDS (ON) improving system efficiency
- Low threshold voltage
- ESD protected gate
- -55 to 150°C Operating temperature range
การใช้งาน
Power Management, Consumer Electronics, Computers & Computer Peripherals, Industrial
ข้อมูลจำเพาะทางเทคนิค
| Channel Type | N Channel |
|---|---|
| Continuous Drain Current Id | 915mA |
| Transistor Case Style | SC-89 |
| Rds(on) Test Voltage | 4.5V |
| Power Dissipation | 300mW |
| Operating Temperature Max | 150°C |
| Qualification | AEC-Q101 |
| SVHC | No SVHC (25-Jun-2025) |
| Drain Source Voltage Vds | 20V |
|---|---|
| Drain Source On State Resistance | 0.23ohm |
| Transistor Mounting | Surface Mount |
| Gate Source Threshold Voltage Max | 760mV |
| No. of Pins | 3Pins |
| Product Range | - |
| MSL | MSL 1 - Unlimited |
เอกสารทางเทคนิค (2)
ตัวเลือกสำหรับ NTE4153NT1G
พบผลิตภัณฑ์จำนวน1
กฎหมายและปัจจัยแวดล้อม
| ประเทศต้นกำเนิด: ประเทศสุดท้ายที่ดำเนินกระบวนการผลิตที่สำคัญประเทศต้นกำเนิด: | China ประเทศสุดท้ายที่ดำเนินกระบวนการผลิตที่สำคัญ |
|---|---|
| หมายเลขพิกัดอัตราภาษี: | 85412100 |
| US ECCN: | EAR99 |
| EU ECCN: | NLR |
| เป็นไปตามข้อกำหนด RoHS: | ใช่ RoHS |
| การใช้สารพาทาเลตตามระเบียบ RoHS: | ใช่ RoHS |
| SVHC: | No SVHC (25-Jun-2025) |
| ดาวน์โหลดหนังสือรับรองมาตรฐานของผลิตภัณฑ์ | หนังสือรับรองมาตรฐานของผลิตภัณฑ์ |
| น้ำหนัก (กก.): | .000005 |