พิมพ์หน้า
NTA4151PT1G
Power MOSFET, P Channel, 20 V, 760 mA, 0.36 ohm, SC-75, Surface Mount
ภาพใช้เพื่อวัตถุประสงค์เพื่อแสดงตัวอย่างเท่านั้น โปรดดูรายละเอียดของผลิตภัณฑ์
ผู้ผลิตONSEMI
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิตNTA4151PT1Gสำเนา
ระยะเวลานำส่งมาตรฐานของผู้ผลิต21 สัปดาห์
รหัสสินค้า2317622
หมายเลขชิ้นส่วนของคุณ
59,626 ในสต็อก
อยากได้เพิ่มใช่ไหม
59,626 จัดส่งใน 3-4 วันทำการ(อังกฤษ สต็อก)
| จำนวน | ราคา (ราคาสินค้าไม่รวม vat) |
|---|---|
| 5+ | THB11.770 |
| 10+ | THB7.910 |
| 100+ | THB5.020 |
| 500+ | THB3.710 |
| 1000+ | THB3.300 |
| 5000+ | THB3.240 |
ราคาสำหรับสินค้า:Each
ขั้นต่ำ: 5
หลายรายการ: 5
THB58.85
บันทึกของรายการ
เพิ่มไปยังใบยืนยันคำสั่งซื้อ ใบแจ้งหนี้ และใบจัดส่งสินค้าสำหรับคำสั่งซื้อนี้เท่านั้น
ข้อมูลผลิตภัณฑ์
ผู้ผลิตONSEMI
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิตNTA4151PT1Gสำเนา
ระยะเวลานำส่งมาตรฐานของผู้ผลิต21 สัปดาห์
รหัสสินค้า2317622
เอกสารข้อมูลทางเทคนิค
Channel TypeP Channel
Drain Source Voltage Vds20V
Continuous Drain Current Id760mA
Drain Source On State Resistance0.36ohm
Transistor Case StyleSC-75
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage4.5V
Gate Source Threshold Voltage Max450mV
Power Dissipation301mW
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max150°C
Product Range-
Qualification-
SVHCNo SVHC (25-Jun-2025)
ภาพรวมของผลิตภัณฑ์
The NTA4151PT1G is a P-channel Small Signal MOSFET offers -20V drain source voltage and -760A continuous drain current. It is suitable for high side load switch, DC-to-DC conversion, small drive circuits, battery operated systems such as cell phones, PDAs and digital cameras.
- Low RDS (ON) for higher efficiency and longer battery life
- Small outline package
- Standard gullwing package
- ESD protected gate
- Halogen-free
- -55 to 150°C Operating junction temperature range
การใช้งาน
Power Management, Consumer Electronics, Computers & Computer Peripherals, Industrial
ข้อมูลจำเพาะทางเทคนิค
Channel Type
P Channel
Continuous Drain Current Id
760mA
Transistor Case Style
SC-75
Rds(on) Test Voltage
4.5V
Power Dissipation
301mW
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
SVHC
No SVHC (25-Jun-2025)
Drain Source Voltage Vds
20V
Drain Source On State Resistance
0.36ohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Gate Source Threshold Voltage Max
450mV
No. of Pins
3Pins
Product Range
-
MSL
MSL 1 - Unlimited
เอกสารทางเทคนิค (1)
กฎหมายและปัจจัยแวดล้อม
ประเทศต้นกำเนิด:
ประเทศสุดท้ายที่ดำเนินกระบวนการผลิตที่สำคัญประเทศต้นกำเนิด:China
ประเทศสุดท้ายที่ดำเนินกระบวนการผลิตที่สำคัญ
ประเทศสุดท้ายที่ดำเนินกระบวนการผลิตที่สำคัญประเทศต้นกำเนิด:China
ประเทศสุดท้ายที่ดำเนินกระบวนการผลิตที่สำคัญ
หมายเลขพิกัดอัตราภาษี:85412100
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
เป็นไปตามข้อกำหนด RoHS:ใช่
RoHS
การใช้สารพาทาเลตตามระเบียบ RoHS:ใช่
RoHS
SVHC:No SVHC (25-Jun-2025)
ดาวน์โหลดหนังสือรับรองมาตรฐานของผลิตภัณฑ์
หนังสือรับรองมาตรฐานของผลิตภัณฑ์
น้ำหนัก (กก.):.0025