พิมพ์หน้า
H11G2M
Optocoupler, Darlington Output, 1 Channel, DIP, 6 Pins, 60 mA, 7.5 kV, 500 %
ภาพใช้เพื่อวัตถุประสงค์เพื่อแสดงตัวอย่างเท่านั้น โปรดดูรายละเอียดของผลิตภัณฑ์
ผู้ผลิตONSEMI
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิตH11G2M
รหัสสินค้า2322527
หมายเลขชิ้นส่วนของคุณ
เอกสารข้อมูลทางเทคนิค
802 ในสต็อก
อยากได้เพิ่มใช่ไหม
802 จัดส่งใน 3-4 วันทำการ(อังกฤษ สต็อก)
| จำนวน | ราคา (ราคาสินค้าไม่รวม vat) |
|---|---|
| 1+ | THB31.610 |
| 10+ | THB15.290 |
| 25+ | THB15.010 |
| 50+ | THB14.730 |
| 100+ | THB14.440 |
| 500+ | THB12.320 |
ราคาสำหรับสินค้า:Each
ขั้นต่ำ: 1
หลายรายการ: 1
THB31.61
บันทึกของรายการ
เพิ่มไปยังใบยืนยันคำสั่งซื้อ ใบแจ้งหนี้ และใบจัดส่งสินค้าสำหรับคำสั่งซื้อนี้เท่านั้น
ภาพรวมของผลิตภัณฑ์
The H11G2M is a 80V 6-pin DIP high voltage photodarlington-type Optically Coupled Optocoupler consist of gallium arsenide infrared emitting diode coupled with a silicon Darlington connected phototransistor which has an integral base-emitter resistor to optimize elevated temperature characteristics.
- High sensitivity to low input current (minimum 500% CTR at IF= 1mA)
- Low leakage current at elevated temperature (maximum 100μA at 80°C)
การใช้งาน
Consumer Electronics, Motor Drive & Control, Communications & Networking, Sensing & Instrumentation, Power Management
ข้อมูลจำเพาะทางเทคนิค
No. of Channels
1 Channel
No. of Pins
6Pins
Isolation Voltage
7.5kV
Collector Emitter Voltage V(br)ceo
80V
SVHC
No SVHC (25-Jun-2025)
Optocoupler Case Style
DIP
Forward Current If Max
60mA
CTR Min
500%
Product Range
-
กฎหมายและปัจจัยแวดล้อม
ประเทศต้นกำเนิด:
ประเทศสุดท้ายที่ดำเนินกระบวนการผลิตที่สำคัญประเทศต้นกำเนิด:Thailand
ประเทศสุดท้ายที่ดำเนินกระบวนการผลิตที่สำคัญ
ประเทศสุดท้ายที่ดำเนินกระบวนการผลิตที่สำคัญประเทศต้นกำเนิด:Thailand
ประเทศสุดท้ายที่ดำเนินกระบวนการผลิตที่สำคัญ
หมายเลขพิกัดอัตราภาษี:85414900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
เป็นไปตามข้อกำหนด RoHS:ใช่
RoHS
การใช้สารพาทาเลตตามระเบียบ RoHS:ใช่
RoHS
SVHC:No SVHC (25-Jun-2025)
ดาวน์โหลดหนังสือรับรองมาตรฐานของผลิตภัณฑ์
หนังสือรับรองมาตรฐานของผลิตภัณฑ์
น้ำหนัก (กก.):.004536