พิมพ์หน้า
FDS6679AZ
Power MOSFET, P Channel, 30 V, 13 A, 7700 µohm, SOIC, Surface Mount
ภาพใช้เพื่อวัตถุประสงค์เพื่อแสดงตัวอย่างเท่านั้น โปรดดูรายละเอียดของผลิตภัณฑ์
ผู้ผลิตONSEMI
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิตFDS6679AZสำเนา
ระยะเวลานำส่งมาตรฐานของผู้ผลิต15 สัปดาห์
รหัสสินค้า
เต็มม้วน2323197
ม้วนตัดแบ่ง1700668RL
เทปตัด1700668
หมายเลขชิ้นส่วนของคุณ
16,343 ในสต็อก
อยากได้เพิ่มใช่ไหม
16,343 จัดส่งใน 3-4 วันทำการ(อังกฤษ สต็อก)
ตัวเลือกบรรจุภัณฑ์
| ประเภทบรรจุภัณฑ์ | จำนวน | ราคาต่อหน่วย: | ทั้งหมด |
|---|---|---|---|
| เทปตัด | 5 | THB35.660 | THB178.30 |
| ทั้งหมด ราคา (ราคาสินค้าไม่รวม vat) | THB178.30 | ||
เทปตัด & ม้วนตัดแบ่ง
| จำนวน | ราคา (ราคาสินค้าไม่รวม vat) |
|---|---|
| 5+ | THB35.660 |
| 50+ | THB29.910 |
| 100+ | THB24.160 |
| 500+ | THB18.510 |
| 1000+ | THB18.140 |
เต็มม้วน
| จำนวน | ราคา (ราคาสินค้าไม่รวม vat) |
|---|---|
| 2500+ | THB17.480 |
| 7500+ | THB17.140 |
บันทึกของรายการ
เพิ่มไปยังใบยืนยันคำสั่งซื้อ ใบแจ้งหนี้ และใบจัดส่งสินค้าสำหรับคำสั่งซื้อนี้เท่านั้น
ข้อมูลผลิตภัณฑ์
ผู้ผลิตONSEMI
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิตFDS6679AZสำเนา
ระยะเวลานำส่งมาตรฐานของผู้ผลิต15 สัปดาห์
รหัสสินค้า
เต็มม้วน2323197
ม้วนตัดแบ่ง1700668RL
เทปตัด1700668
เอกสารข้อมูลทางเทคนิค
Channel TypeP Channel
Drain Source Voltage Vds30V
Continuous Drain Current Id13A
Drain Source On State Resistance7700µohm
Transistor Case StyleSOIC
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max1.9V
Power Dissipation2.5W
No. of Pins8Pins
Operating Temperature Max150°C
Product Range-
Qualification-
MSL-
SVHCNo SVHC (25-Jun-2025)
ภาพรวมของผลิตภัณฑ์
The FDS6679AZ is a P-channel MOSFET produced using advanced PowerTrench® process. It has been especially tailored to minimize the ON-state resistance. This device is well suited for load switching applications common in portable battery packs.
- High performance Trench technology for extremely low RDS (ON)
- High power and current handing capability
- 6kV typical HBM ESD protection level
ข้อมูลจำเพาะทางเทคนิค
Channel Type
P Channel
Continuous Drain Current Id
13A
Transistor Case Style
SOIC
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation
2.5W
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
SVHC
No SVHC (25-Jun-2025)
Drain Source Voltage Vds
30V
Drain Source On State Resistance
7700µohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Gate Source Threshold Voltage Max
1.9V
No. of Pins
8Pins
Product Range
-
MSL
-
เอกสารทางเทคนิค (2)
ตัวเลือกสำหรับ FDS6679AZ
พบผลิตภัณฑ์จำนวน3
กฎหมายและปัจจัยแวดล้อม
ประเทศต้นกำเนิด:
ประเทศสุดท้ายที่ดำเนินกระบวนการผลิตที่สำคัญประเทศต้นกำเนิด:Philippines
ประเทศสุดท้ายที่ดำเนินกระบวนการผลิตที่สำคัญ
ประเทศสุดท้ายที่ดำเนินกระบวนการผลิตที่สำคัญประเทศต้นกำเนิด:Philippines
ประเทศสุดท้ายที่ดำเนินกระบวนการผลิตที่สำคัญ
หมายเลขพิกัดอัตราภาษี:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
เป็นไปตามข้อกำหนด RoHS:ใช่
RoHS
การใช้สารพาทาเลตตามระเบียบ RoHS:ใช่
RoHS
SVHC:No SVHC (25-Jun-2025)
ดาวน์โหลดหนังสือรับรองมาตรฐานของผลิตภัณฑ์
หนังสือรับรองมาตรฐานของผลิตภัณฑ์
น้ำหนัก (กก.):.000225