พิมพ์หน้า
FDMS86255
Power MOSFET, N Channel, 150 V, 45 A, 0.0124 ohm, Power 56, Surface Mount
ภาพใช้เพื่อวัตถุประสงค์เพื่อแสดงตัวอย่างเท่านั้น โปรดดูรายละเอียดของผลิตภัณฑ์
ผู้ผลิตONSEMI
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิตFDMS86255สำเนา
ระยะเวลานำส่งมาตรฐานของผู้ผลิต28 สัปดาห์
รหัสสินค้า
ม้วนตัดแบ่ง2825179RL
เทปตัด2825179
Product RangePowerTrench
หมายเลขชิ้นส่วนของคุณ
13,400 ในสต็อก
อยากได้เพิ่มใช่ไหม
13,400 จัดส่งใน 3-4 วันทำการ(อังกฤษ สต็อก)
ตัวเลือกบรรจุภัณฑ์
| ประเภทบรรจุภัณฑ์ | จำนวน | ราคาต่อหน่วย: | ทั้งหมด |
|---|---|---|---|
| เทปตัด | 5 | THB104.450 | THB522.25 |
| ทั้งหมด ราคา (ราคาสินค้าไม่รวม vat) | THB522.25 | ||
เทปตัด & ม้วนตัดแบ่ง
| จำนวน | ราคา (ราคาสินค้าไม่รวม vat) |
|---|---|
| 5+ | THB104.450 |
| 50+ | THB97.370 |
| 100+ | THB90.290 |
| 500+ | THB83.700 |
| 1500+ | THB82.030 |
บันทึกของรายการ
เพิ่มไปยังใบยืนยันคำสั่งซื้อ ใบแจ้งหนี้ และใบจัดส่งสินค้าสำหรับคำสั่งซื้อนี้เท่านั้น
ข้อมูลผลิตภัณฑ์
ผู้ผลิตONSEMI
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิตFDMS86255สำเนา
ระยะเวลานำส่งมาตรฐานของผู้ผลิต28 สัปดาห์
รหัสสินค้า
ม้วนตัดแบ่ง2825179RL
เทปตัด2825179
Product RangePowerTrench
เอกสารข้อมูลทางเทคนิค
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds150V
Continuous Drain Current Id45A
Drain Source On State Resistance0.0124ohm
Transistor Case StylePower 56
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max3V
Power Dissipation113W
No. of Pins8Pins
Operating Temperature Max150°C
Product RangePowerTrench
Qualification-
SVHCLead (04-Feb-2026)
ภาพรวมของผลิตภัณฑ์
FDMS86255 is a N-channel, shielded gate, POWERTRENCH MOSFET. This N-channel MOSFET is produced using onsemi advanced POWERTRENCH process that incorporates shielded Gate technology. This process has been optimized for the on-state resistance and yet maintains superior switching performance. Typical applications are OringFET / load switching, synchronous rectification, DC-DC conversion.
- Advanced package and silicon combination for low RDS(on) and high efficiency
- Next generation enhanced body diode technology, engineered for soft recovery
- 100% UIL tested
- Drain to source voltage is 150V at TA = 25°C
- Gate to source voltage is ±20V at TA = 25°C
- Drain current is 62A at continuous, TC = 25°C
- Single pulse avalanche energy is 541mJ at TA = 25°C
- Power dissipation is 113W at TC = 25°C
- PQFN8 package
- Operating and storage junction temperature range from -55 to +150°C
ข้อมูลจำเพาะทางเทคนิค
Channel Type
N Channel
Continuous Drain Current Id
45A
Transistor Case Style
Power 56
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation
113W
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
SVHC
Lead (04-Feb-2026)
Drain Source Voltage Vds
150V
Drain Source On State Resistance
0.0124ohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Gate Source Threshold Voltage Max
3V
No. of Pins
8Pins
Product Range
PowerTrench
MSL
MSL 1 - Unlimited
เอกสารทางเทคนิค (2)
กฎหมายและปัจจัยแวดล้อม
ประเทศต้นกำเนิด:
ประเทศสุดท้ายที่ดำเนินกระบวนการผลิตที่สำคัญประเทศต้นกำเนิด:Philippines
ประเทศสุดท้ายที่ดำเนินกระบวนการผลิตที่สำคัญ
ประเทศสุดท้ายที่ดำเนินกระบวนการผลิตที่สำคัญประเทศต้นกำเนิด:Philippines
ประเทศสุดท้ายที่ดำเนินกระบวนการผลิตที่สำคัญ
หมายเลขพิกัดอัตราภาษี:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
เป็นไปตามข้อกำหนด RoHS:Y-Ex
RoHS
การใช้สารพาทาเลตตามระเบียบ RoHS:ใช่
RoHS
SVHC:Lead (04-Feb-2026)
ดาวน์โหลดหนังสือรับรองมาตรฐานของผลิตภัณฑ์
หนังสือรับรองมาตรฐานของผลิตภัณฑ์
น้ำหนัก (กก.):.0004