พิมพ์หน้า
FDB2614
Power MOSFET, N Channel, 200 V, 62 A, 0.027 ohm, TO-263 (D2PAK), Surface Mount
ภาพใช้เพื่อวัตถุประสงค์เพื่อแสดงตัวอย่างเท่านั้น โปรดดูรายละเอียดของผลิตภัณฑ์
ผู้ผลิตONSEMI
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิตFDB2614สำเนา
ระยะเวลานำส่งมาตรฐานของผู้ผลิต21 สัปดาห์
รหัสสินค้า
ม้วนตัดแบ่ง1495274RL
เทปตัด1495274
หมายเลขชิ้นส่วนของคุณ
พร้อมให้สั่งซื้อ
ระยะเวลารอมาตรฐานของผู้ผลิต: 21 สัปดาห์
แจ้งเตือนฉันเมื่อมีสินค้าในสต็อก
ตัวเลือกบรรจุภัณฑ์
| ประเภทบรรจุภัณฑ์ | จำนวน | ราคาต่อหน่วย: | ทั้งหมด |
|---|---|---|---|
| เทปตัด | 1 | THB214.330 | THB214.33 |
| ทั้งหมด ราคา (ราคาสินค้าไม่รวม vat) | THB214.33 | ||
เทปตัด & ม้วนตัดแบ่ง
| จำนวน | ราคา (ราคาสินค้าไม่รวม vat) |
|---|---|
| 1+ | THB214.330 |
| 10+ | THB141.430 |
| 100+ | THB103.140 |
| 500+ | THB86.350 |
| 1000+ | THB84.630 |
บันทึกของรายการ
เพิ่มไปยังใบยืนยันคำสั่งซื้อ ใบแจ้งหนี้ และใบจัดส่งสินค้าสำหรับคำสั่งซื้อนี้เท่านั้น
ข้อมูลผลิตภัณฑ์
ผู้ผลิตONSEMI
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิตFDB2614สำเนา
ระยะเวลานำส่งมาตรฐานของผู้ผลิต21 สัปดาห์
รหัสสินค้า
ม้วนตัดแบ่ง1495274RL
เทปตัด1495274
เอกสารข้อมูลทางเทคนิค
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds200V
Continuous Drain Current Id62A
Drain Source On State Resistance0.027ohm
Transistor Case StyleTO-263 (D2PAK)
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max4V
Power Dissipation260W
No. of Pins2Pins
Operating Temperature Max150°C
Product Range-
Qualification-
SVHCLead (25-Jun-2025)
ภาพรวมของผลิตภัณฑ์
The FDB2614 is a N-channel MOSFET produced using advanced PowerTrench® process. It has been tailored to minimize the ON-state resistance while maintaining superior switching performance. It is suitable for use in synchronous rectification and battery protection circuit.
- High performance Trench technology for extremely low RDS (ON)
- Low gate charge
- High power and current handing capability
ข้อมูลจำเพาะทางเทคนิค
Channel Type
N Channel
Continuous Drain Current Id
62A
Transistor Case Style
TO-263 (D2PAK)
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation
260W
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
SVHC
Lead (25-Jun-2025)
Drain Source Voltage Vds
200V
Drain Source On State Resistance
0.027ohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Gate Source Threshold Voltage Max
4V
No. of Pins
2Pins
Product Range
-
MSL
MSL 1 - Unlimited
เอกสารทางเทคนิค (2)
ผลิตภัณฑ์ที่เกี่ยวข้อง
พบผลิตภัณฑ์จำนวน3
กฎหมายและปัจจัยแวดล้อม
ประเทศต้นกำเนิด:
ประเทศสุดท้ายที่ดำเนินกระบวนการผลิตที่สำคัญประเทศต้นกำเนิด:China
ประเทศสุดท้ายที่ดำเนินกระบวนการผลิตที่สำคัญ
ประเทศสุดท้ายที่ดำเนินกระบวนการผลิตที่สำคัญประเทศต้นกำเนิด:China
ประเทศสุดท้ายที่ดำเนินกระบวนการผลิตที่สำคัญ
หมายเลขพิกัดอัตราภาษี:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
เป็นไปตามข้อกำหนด RoHS:Y-Ex
RoHS
การใช้สารพาทาเลตตามระเบียบ RoHS:ใช่
RoHS
SVHC:Lead (25-Jun-2025)
ดาวน์โหลดหนังสือรับรองมาตรฐานของผลิตภัณฑ์
หนังสือรับรองมาตรฐานของผลิตภัณฑ์
น้ำหนัก (กก.):.00143