พิมพ์หน้า
BS170-D26Z
Power MOSFET, N Channel, 60 V, 500 mA, 5 ohm, TO-92, Through Hole
ภาพใช้เพื่อวัตถุประสงค์เพื่อแสดงตัวอย่างเท่านั้น โปรดดูรายละเอียดของผลิตภัณฑ์
ผู้ผลิตONSEMI
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิตBS170-D26Zสำเนา
ระยะเวลานำส่งมาตรฐานของผู้ผลิต54 สัปดาห์
รหัสสินค้า2453384
หมายเลขชิ้นส่วนของคุณ
1,081 ในสต็อก
2,000 คุณสามารถจองสินค้าได้ทันที
1,081 จัดส่งใน 3-4 วันทำการ(อังกฤษ สต็อก)
| จำนวน | ราคา (ราคาสินค้าไม่รวม vat) |
|---|---|
| 5+ | THB10.740 |
| 50+ | THB10.090 |
| 100+ | THB9.440 |
| 500+ | THB7.130 |
| 1000+ | THB6.990 |
ราคาสำหรับสินค้า:Each (Supplied on Cut Tape)
ขั้นต่ำ: 5
หลายรายการ: 5
THB53.70
บันทึกของรายการ
เพิ่มไปยังใบยืนยันคำสั่งซื้อ ใบแจ้งหนี้ และใบจัดส่งสินค้าสำหรับคำสั่งซื้อนี้เท่านั้น
ข้อมูลผลิตภัณฑ์
ผู้ผลิตONSEMI
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิตBS170-D26Zสำเนา
ระยะเวลานำส่งมาตรฐานของผู้ผลิต54 สัปดาห์
รหัสสินค้า2453384
เอกสารข้อมูลทางเทคนิค
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds60V
Continuous Drain Current Id500mA
Drain Source On State Resistance5ohm
Transistor Case StyleTO-92
Transistor MountingThrough Hole
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max2.1V
Power Dissipation830mW
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max150°C
Product Range-
Qualification-
SVHCNo SVHC (25-Jun-2025)
ภาพรวมของผลิตภัณฑ์
The BS170_D26Z is a 60V N-channel enhancement mode Field Effect Transistor produced using high cell density, DMOS technology. This device has been designed to minimize on-state resistance while providing rugged, reliable and fast switching performance. This can be used in most applications requiring up to 500mA DC. It is particularly suited for low voltage, low current applications such as small servo motor control, power MOSFET gate drivers and other switching applications. This product is general usage and suitable for many different applications.
- High density cell design for low RDS (ON)
- Voltage controlled small signal switch
- Rugged and reliable
- High saturation current capability
- 60V drain gate voltage (VDGR)
- ±20V continuous gate source voltage (VGSS)
- 150°C/W thermal resistance, junction to ambient
ข้อมูลจำเพาะทางเทคนิค
Channel Type
N Channel
Continuous Drain Current Id
500mA
Transistor Case Style
TO-92
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation
830mW
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
SVHC
No SVHC (25-Jun-2025)
Drain Source Voltage Vds
60V
Drain Source On State Resistance
5ohm
Transistor Mounting
Through Hole
Gate Source Threshold Voltage Max
2.1V
No. of Pins
3Pins
Product Range
-
MSL
MSL 1 - Unlimited
เอกสารทางเทคนิค (3)
ตัวเลือกสำหรับ BS170-D26Z
พบผลิตภัณฑ์จำนวน3
กฎหมายและปัจจัยแวดล้อม
ประเทศต้นกำเนิด:
ประเทศสุดท้ายที่ดำเนินกระบวนการผลิตที่สำคัญประเทศต้นกำเนิด:China
ประเทศสุดท้ายที่ดำเนินกระบวนการผลิตที่สำคัญ
ประเทศสุดท้ายที่ดำเนินกระบวนการผลิตที่สำคัญประเทศต้นกำเนิด:China
ประเทศสุดท้ายที่ดำเนินกระบวนการผลิตที่สำคัญ
หมายเลขพิกัดอัตราภาษี:85412100
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
เป็นไปตามข้อกำหนด RoHS:ใช่
RoHS
การใช้สารพาทาเลตตามระเบียบ RoHS:ใช่
RoHS
SVHC:No SVHC (25-Jun-2025)
ดาวน์โหลดหนังสือรับรองมาตรฐานของผลิตภัณฑ์
หนังสือรับรองมาตรฐานของผลิตภัณฑ์
น้ำหนัก (กก.):.000286