พิมพ์หน้า
PSMN1R7-30YL,115
Power MOSFET, N Channel, 30 V, 100 A, 1700 µohm, SOT-669, Surface Mount
ภาพใช้เพื่อวัตถุประสงค์เพื่อแสดงตัวอย่างเท่านั้น โปรดดูรายละเอียดของผลิตภัณฑ์
ผู้ผลิตNEXPERIA
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิตPSMN1R7-30YL,115สำเนา
ระยะเวลานำส่งมาตรฐานของผู้ผลิต15 สัปดาห์
รหัสสินค้า
ม้วนตัดแบ่ง1699701RL
เทปตัด1699701
หมายเลขชิ้นส่วนของคุณ
270 ในสต็อก
อยากได้เพิ่มใช่ไหม
270 จัดส่งใน 3-4 วันทำการ(อังกฤษ สต็อก)
ตัวเลือกบรรจุภัณฑ์
| ประเภทบรรจุภัณฑ์ | จำนวน | ราคาต่อหน่วย: | ทั้งหมด |
|---|---|---|---|
| เทปตัด | 1 | THB82.310 | THB82.31 |
| ทั้งหมด ราคา (ราคาสินค้าไม่รวม vat) | THB82.31 | ||
เทปตัด & ม้วนตัดแบ่ง
| จำนวน | ราคา (ราคาสินค้าไม่รวม vat) |
|---|---|
| 1+ | THB82.310 |
| 10+ | THB52.750 |
| 100+ | THB35.960 |
| 500+ | THB28.730 |
| 1000+ | THB25.540 |
| 5000+ | THB22.040 |
บันทึกของรายการ
เพิ่มไปยังใบยืนยันคำสั่งซื้อ ใบแจ้งหนี้ และใบจัดส่งสินค้าสำหรับคำสั่งซื้อนี้เท่านั้น
ข้อมูลผลิตภัณฑ์
ผู้ผลิตNEXPERIA
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิตPSMN1R7-30YL,115สำเนา
ระยะเวลานำส่งมาตรฐานของผู้ผลิต15 สัปดาห์
รหัสสินค้า
ม้วนตัดแบ่ง1699701RL
เทปตัด1699701
เอกสารข้อมูลทางเทคนิค
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds30V
Continuous Drain Current Id100A
Drain Source On State Resistance1700µohm
Transistor Case StyleSOT-669
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max1.7V
Power Dissipation109W
No. of Pins4Pins
Operating Temperature Max150°C
Product Range-
Qualification-
SVHCLead (25-Jun-2025)
ภาพรวมของผลิตภัณฑ์
The PSMN1R7-30YL is a N-channel logic level MOSFET with advanced TrenchMOS technology provides low RDS (ON) and low gate charge. It is designed and qualified for use in a wide range of It is designed and qualified for use in a wide range of DC-to-DC converters, lithium-ion battery protection, load switching, server power supplies and domestic equipment applications.
- Improved mechanical and thermal characteristics
- High efficiency gains in switching power converters
- LFPAK provides maximum power density in a power SO8 package
- -55 to 175°C Junction temperature range
การใช้งาน
Power Management, Communications & Networking, Consumer Electronics, Motor Drive & Control, Industrial
ข้อมูลจำเพาะทางเทคนิค
Channel Type
N Channel
Continuous Drain Current Id
100A
Transistor Case Style
SOT-669
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation
109W
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
SVHC
Lead (25-Jun-2025)
Drain Source Voltage Vds
30V
Drain Source On State Resistance
1700µohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Gate Source Threshold Voltage Max
1.7V
No. of Pins
4Pins
Product Range
-
MSL
MSL 1 - Unlimited
เอกสารทางเทคนิค (2)
ตัวเลือกสำหรับ PSMN1R7-30YL,115
พบผลิตภัณฑ์จำนวน6
กฎหมายและปัจจัยแวดล้อม
ประเทศต้นกำเนิด:
ประเทศสุดท้ายที่ดำเนินกระบวนการผลิตที่สำคัญประเทศต้นกำเนิด:Philippines
ประเทศสุดท้ายที่ดำเนินกระบวนการผลิตที่สำคัญ
ประเทศสุดท้ายที่ดำเนินกระบวนการผลิตที่สำคัญประเทศต้นกำเนิด:Philippines
ประเทศสุดท้ายที่ดำเนินกระบวนการผลิตที่สำคัญ
หมายเลขพิกัดอัตราภาษี:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
เป็นไปตามข้อกำหนด RoHS:ใช่
RoHS
การใช้สารพาทาเลตตามระเบียบ RoHS:ใช่
RoHS
SVHC:Lead (25-Jun-2025)
ดาวน์โหลดหนังสือรับรองมาตรฐานของผลิตภัณฑ์
หนังสือรับรองมาตรฐานของผลิตภัณฑ์
น้ำหนัก (กก.):.00039