พิมพ์หน้า
PMPB55XNEAX
Power MOSFET, N Channel, 30 V, 3.8 A, 0.055 ohm, DFN2020MD, Surface Mount
ภาพใช้เพื่อวัตถุประสงค์เพื่อแสดงตัวอย่างเท่านั้น โปรดดูรายละเอียดของผลิตภัณฑ์
ผู้ผลิตNEXPERIA
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิตPMPB55XNEAXสำเนา
ระยะเวลานำส่งมาตรฐานของผู้ผลิต22 สัปดาห์
รหัสสินค้า
เต็มม้วน4319501
ม้วนตัดแบ่ง3287984RL
เทปตัด3287984
หมายเลขชิ้นส่วนของคุณ
3,004 ในสต็อก
6,000 คุณสามารถจองสินค้าได้ทันที
3,004 จัดส่งใน 3-4 วันทำการ(อังกฤษ สต็อก)
ตัวเลือกบรรจุภัณฑ์
| ประเภทบรรจุภัณฑ์ | จำนวน | ราคาต่อหน่วย: | ทั้งหมด |
|---|---|---|---|
| เทปตัด | 5 | THB25.330 | THB126.65 |
| ทั้งหมด ราคา (ราคาสินค้าไม่รวม vat) | THB126.65 | ||
เทปตัด & ม้วนตัดแบ่ง
| จำนวน | ราคา (ราคาสินค้าไม่รวม vat) |
|---|---|
| 5+ | THB25.330 |
| 50+ | THB11.430 |
| 100+ | THB9.830 |
| 500+ | THB7.500 |
| 1500+ | THB7.350 |
เต็มม้วน
| จำนวน | ราคา (ราคาสินค้าไม่รวม vat) |
|---|---|
| 3000+ | THB5.460 |
| 9000+ | THB4.730 |
บันทึกของรายการ
เพิ่มไปยังใบยืนยันคำสั่งซื้อ ใบแจ้งหนี้ และใบจัดส่งสินค้าสำหรับคำสั่งซื้อนี้เท่านั้น
ข้อมูลผลิตภัณฑ์
ผู้ผลิตNEXPERIA
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิตPMPB55XNEAXสำเนา
ระยะเวลานำส่งมาตรฐานของผู้ผลิต22 สัปดาห์
รหัสสินค้า
เต็มม้วน4319501
ม้วนตัดแบ่ง3287984RL
เทปตัด3287984
เอกสารข้อมูลทางเทคนิค
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds30V
Continuous Drain Current Id3.8A
Drain Source On State Resistance0.055ohm
Transistor Case StyleDFN2020MD
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage4.5V
Gate Source Threshold Voltage Max1V
Power Dissipation1.95W
No. of Pins8Pins
Operating Temperature Max175°C
Product Range-
QualificationAEC-Q101
SVHCNo SVHC (25-Jun-2025)
ภาพรวมของผลิตภัณฑ์
PMPB55XNEAX is a N-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) in a leadless medium power DFN2020MD-6 (SOT1220) Surface-Mounted Device (SMD) plastic package using Trench MOSFET technology. Typical applications include relay driver, high-speed line driver, low-side load switch, switching circuits.
- Tin-plated 100% solderable side pads for optical solder inspection
- ElectroStatic discharge (ESD) protection > 1.5kV HBM
- Trench MOSFET technology
- AEC-Q101 qualified
- Drain-source breakdown voltage is 30V min at ID = 250µA; VGS = 0V; Tj = 25°C
- Drain leakage current is 1µA max at VDS = 30V; VGS = 0V; Tj = 25°C
- Drain-source on-state resistance is 55mohm typ at VGS = 4.5V; ID = 3.8A; Tj = 25°C
- Source-drain voltage is 0.8V typ at IS = 1.9A; VGS = 0V; Tj = 25°C
- Reverse recovery time is 12.6ns typ at IS = 2.5A; dIS/dt = -100A/µs; VGS = 0V; VDS = 10V; Tj = 25°C
- Recovered charge is 4nC typ at IS = 2.5A; dIS/dt = -100A/µs; VGS = 0V; VDS = 10V; Tj = 25°C
ข้อมูลจำเพาะทางเทคนิค
Channel Type
N Channel
Continuous Drain Current Id
3.8A
Transistor Case Style
DFN2020MD
Rds(on) Test Voltage
4.5V
Power Dissipation
1.95W
Operating Temperature Max
175°C
Qualification
AEC-Q101
SVHC
No SVHC (25-Jun-2025)
Drain Source Voltage Vds
30V
Drain Source On State Resistance
0.055ohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Gate Source Threshold Voltage Max
1V
No. of Pins
8Pins
Product Range
-
MSL
MSL 1 - Unlimited
เอกสารทางเทคนิค (2)
กฎหมายและปัจจัยแวดล้อม
ประเทศต้นกำเนิด:
ประเทศสุดท้ายที่ดำเนินกระบวนการผลิตที่สำคัญประเทศต้นกำเนิด:Malaysia
ประเทศสุดท้ายที่ดำเนินกระบวนการผลิตที่สำคัญ
ประเทศสุดท้ายที่ดำเนินกระบวนการผลิตที่สำคัญประเทศต้นกำเนิด:Malaysia
ประเทศสุดท้ายที่ดำเนินกระบวนการผลิตที่สำคัญ
หมายเลขพิกัดอัตราภาษี:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
เป็นไปตามข้อกำหนด RoHS:ใช่
RoHS
การใช้สารพาทาเลตตามระเบียบ RoHS:ใช่
RoHS
SVHC:No SVHC (25-Jun-2025)
ดาวน์โหลดหนังสือรับรองมาตรฐานของผลิตภัณฑ์
หนังสือรับรองมาตรฐานของผลิตภัณฑ์
น้ำหนัก (กก.):.000004