พิมพ์หน้า
NSF017120T2A0-QJ
Silicon Carbide MOSFET, AEC-Q101, Single, N Channel, 122 A, 1.2 kV, 0.026 ohm, SOT8107
ภาพใช้เพื่อวัตถุประสงค์เพื่อแสดงตัวอย่างเท่านั้น โปรดดูรายละเอียดของผลิตภัณฑ์
พร้อมให้สั่งซื้อ
ลงทะเบียนเพื่อรับข่าวที่นี่
| จำนวน | ราคา (ราคาสินค้าไม่รวม vat) |
|---|---|
| 1+ | THB539.830 |
| 5+ | THB504.180 |
| 10+ | THB468.310 |
| 50+ | THB453.140 |
| 100+ | THB438.110 |
| 250+ | THB424.850 |
ราคาสำหรับสินค้า:Each (Supplied on Cut Tape)
ขั้นต่ำ: 1
หลายรายการ: 1
THB539.83
บันทึกของรายการ
เพิ่มไปยังใบยืนยันคำสั่งซื้อ ใบแจ้งหนี้ และใบจัดส่งสินค้าสำหรับคำสั่งซื้อนี้เท่านั้น
ข้อมูลผลิตภัณฑ์
ผู้ผลิตNEXPERIA
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิตNSF017120T2A0-QJสำเนา
รหัสสินค้า5135625
เอกสารข้อมูลทางเทคนิค
MOSFET Module ConfigurationSingle
Channel TypeN Channel
Continuous Drain Current Id122A
Drain Source Voltage Vds1.2kV
Drain Source On State Resistance0.026ohm
Transistor Case StyleSOT8107
No. of Pins7Pins
Rds(on) Test Voltage18V
Gate Source Threshold Voltage Max2.9V
Power Dissipation517W
Operating Temperature Max175°C
Product Range-
SVHCNo SVHC (04-Feb-2026)
ข้อมูลจำเพาะทางเทคนิค
MOSFET Module Configuration
Single
Continuous Drain Current Id
122A
Drain Source On State Resistance
0.026ohm
No. of Pins
7Pins
Gate Source Threshold Voltage Max
2.9V
Operating Temperature Max
175°C
SVHC
No SVHC (04-Feb-2026)
Channel Type
N Channel
Drain Source Voltage Vds
1.2kV
Transistor Case Style
SOT8107
Rds(on) Test Voltage
18V
Power Dissipation
517W
Product Range
-
เอกสารทางเทคนิค (1)
กฎหมายและปัจจัยแวดล้อม
ประเทศต้นกำเนิด:
ประเทศสุดท้ายที่ดำเนินกระบวนการผลิตที่สำคัญประเทศต้นกำเนิด:China
ประเทศสุดท้ายที่ดำเนินกระบวนการผลิตที่สำคัญ
ประเทศสุดท้ายที่ดำเนินกระบวนการผลิตที่สำคัญประเทศต้นกำเนิด:China
ประเทศสุดท้ายที่ดำเนินกระบวนการผลิตที่สำคัญ
หมายเลขพิกัดอัตราภาษี:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
เป็นไปตามข้อกำหนด RoHS:จะแจ้งให้ทราบ
การใช้สารพาทาเลตตามระเบียบ RoHS:จะแจ้งให้ทราบ
SVHC:No SVHC (04-Feb-2026)
ดาวน์โหลดหนังสือรับรองมาตรฐานของผลิตภัณฑ์
หนังสือรับรองมาตรฐานของผลิตภัณฑ์
น้ำหนัก (กก.):.000001