พิมพ์หน้า
GANE011-080CBAZ
Gallium Nitride (GaN) Transistor, 80 V, 27 A, 0.011 ohm, 2.2 nC, WLCSP, Surface Mount
ภาพใช้เพื่อวัตถุประสงค์เพื่อแสดงตัวอย่างเท่านั้น โปรดดูรายละเอียดของผลิตภัณฑ์
ผู้ผลิตNEXPERIA
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิตGANE011-080CBAZสำเนา
ระยะเวลานำส่งมาตรฐานของผู้ผลิต7 สัปดาห์
รหัสสินค้า4904165
หมายเลขชิ้นส่วนของคุณ
2,500 ในสต็อก
อยากได้เพิ่มใช่ไหม
2,500 จัดส่งใน 3-4 วันทำการ(อังกฤษ สต็อก)
| จำนวน | ราคา (ราคาสินค้าไม่รวม vat) |
|---|---|
| 1+ | THB105.720 |
| 10+ | THB68.510 |
| 100+ | THB47.300 |
| 500+ | THB38.240 |
| 1000+ | THB37.480 |
| 5000+ | THB36.720 |
ราคาสำหรับสินค้า:Each (Supplied on Cut Tape)
ขั้นต่ำ: 1
หลายรายการ: 1
THB105.72
บันทึกของรายการ
เพิ่มไปยังใบยืนยันคำสั่งซื้อ ใบแจ้งหนี้ และใบจัดส่งสินค้าสำหรับคำสั่งซื้อนี้เท่านั้น
ข้อมูลผลิตภัณฑ์
ผู้ผลิตNEXPERIA
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิตGANE011-080CBAZสำเนา
ระยะเวลานำส่งมาตรฐานของผู้ผลิต7 สัปดาห์
รหัสสินค้า4904165
เอกสารข้อมูลทางเทคนิค
Drain Source Voltage Vds80V
Continuous Drain Current Id27A
Drain Source On State Resistance0.011ohm
Typical Gate Charge2.2nC
Transistor Case StyleWLCSP
Transistor MountingSurface Mount
No. of Pins9Pins
Product Range-
QualificationAEC-Q101
SVHCNo SVHC (04-Feb-2026)
ข้อมูลจำเพาะทางเทคนิค
Drain Source Voltage Vds
80V
Drain Source On State Resistance
0.011ohm
Transistor Case Style
WLCSP
No. of Pins
9Pins
Qualification
AEC-Q101
Continuous Drain Current Id
27A
Typical Gate Charge
2.2nC
Transistor Mounting
Surface Mount
Product Range
-
SVHC
No SVHC (04-Feb-2026)
เอกสารทางเทคนิค (1)
กฎหมายและปัจจัยแวดล้อม
ประเทศต้นกำเนิด:
ประเทศสุดท้ายที่ดำเนินกระบวนการผลิตที่สำคัญประเทศต้นกำเนิด:China
ประเทศสุดท้ายที่ดำเนินกระบวนการผลิตที่สำคัญ
ประเทศสุดท้ายที่ดำเนินกระบวนการผลิตที่สำคัญประเทศต้นกำเนิด:China
ประเทศสุดท้ายที่ดำเนินกระบวนการผลิตที่สำคัญ
หมายเลขพิกัดอัตราภาษี:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
เป็นไปตามข้อกำหนด RoHS:ใช่
RoHS
การใช้สารพาทาเลตตามระเบียบ RoHS:จะแจ้งให้ทราบ
SVHC:No SVHC (04-Feb-2026)
ดาวน์โหลดหนังสือรับรองมาตรฐานของผลิตภัณฑ์
หนังสือรับรองมาตรฐานของผลิตภัณฑ์
น้ำหนัก (กก.):.000001