พิมพ์หน้า
GANC035-650VSHQ
Gallium Nitride (GaN) Transistor, 650 V, 44 A, 0.039 ohm, 27 nC, TO-247, Through Hole
ภาพใช้เพื่อวัตถุประสงค์เพื่อแสดงตัวอย่างเท่านั้น โปรดดูรายละเอียดของผลิตภัณฑ์
ผู้ผลิตNEXPERIA
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิตGANC035-650VSHQสำเนา
ระยะเวลานำส่งมาตรฐานของผู้ผลิต18 สัปดาห์
รหัสสินค้า5033220
หมายเลขชิ้นส่วนของคุณ
250 ในสต็อก
อยากได้เพิ่มใช่ไหม
250 จัดส่งใน 3-4 วันทำการ(อังกฤษ สต็อก)
| จำนวน | ราคา (ราคาสินค้าไม่รวม vat) |
|---|---|
| 1+ | THB304.790 |
| 5+ | THB256.670 |
| 10+ | THB208.540 |
| 50+ | THB167.370 |
| 100+ | THB164.030 |
| 250+ | THB160.680 |
ราคาสำหรับสินค้า:Each
ขั้นต่ำ: 1
หลายรายการ: 1
THB304.79
บันทึกของรายการ
เพิ่มไปยังใบยืนยันคำสั่งซื้อ ใบแจ้งหนี้ และใบจัดส่งสินค้าสำหรับคำสั่งซื้อนี้เท่านั้น
ข้อมูลผลิตภัณฑ์
ผู้ผลิตNEXPERIA
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิตGANC035-650VSHQสำเนา
ระยะเวลานำส่งมาตรฐานของผู้ผลิต18 สัปดาห์
รหัสสินค้า5033220
เอกสารข้อมูลทางเทคนิค
Drain Source Voltage Vds650V
Continuous Drain Current Id44A
Drain Source On State Resistance0.039ohm
Typical Gate Charge27nC
Transistor Case StyleTO-247
Transistor MountingThrough Hole
No. of Pins4Pins
Product Range-
QualificationAEC-Q101
SVHCNo SVHC (04-Feb-2026)
ข้อมูลจำเพาะทางเทคนิค
Drain Source Voltage Vds
650V
Drain Source On State Resistance
0.039ohm
Transistor Case Style
TO-247
No. of Pins
4Pins
Qualification
AEC-Q101
Continuous Drain Current Id
44A
Typical Gate Charge
27nC
Transistor Mounting
Through Hole
Product Range
-
SVHC
No SVHC (04-Feb-2026)
เอกสารทางเทคนิค (1)
กฎหมายและปัจจัยแวดล้อม
ประเทศต้นกำเนิด:
ประเทศสุดท้ายที่ดำเนินกระบวนการผลิตที่สำคัญประเทศต้นกำเนิด:Japan
ประเทศสุดท้ายที่ดำเนินกระบวนการผลิตที่สำคัญ
ประเทศสุดท้ายที่ดำเนินกระบวนการผลิตที่สำคัญประเทศต้นกำเนิด:Japan
ประเทศสุดท้ายที่ดำเนินกระบวนการผลิตที่สำคัญ
หมายเลขพิกัดอัตราภาษี:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
เป็นไปตามข้อกำหนด RoHS:ใช่
RoHS
การใช้สารพาทาเลตตามระเบียบ RoHS:จะแจ้งให้ทราบ
SVHC:No SVHC (04-Feb-2026)
ดาวน์โหลดหนังสือรับรองมาตรฐานของผลิตภัณฑ์
หนังสือรับรองมาตรฐานของผลิตภัณฑ์
น้ำหนัก (กก.):.000001