พิมพ์หน้า
GAN111-650WSBQ
Gallium Nitride (GaN) Transistor, 650 V, 21 A, 0.114 ohm, 4.9 nC, TO-247, Through Hole
ภาพใช้เพื่อวัตถุประสงค์เพื่อแสดงตัวอย่างเท่านั้น โปรดดูรายละเอียดของผลิตภัณฑ์
ผู้ผลิตNEXPERIA
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิตGAN111-650WSBQ
รหัสสินค้า4550980
หมายเลขชิ้นส่วนของคุณ
เอกสารข้อมูลทางเทคนิค
202 ในสต็อก
อยากได้เพิ่มใช่ไหม
202 จัดส่งใน 3-4 วันทำการ(อังกฤษ สต็อก)
| จำนวน | ราคา (ราคาสินค้าไม่รวม vat) |
|---|---|
| 1+ | THB486.590 |
| 5+ | THB411.780 |
| 10+ | THB336.960 |
| 50+ | THB336.750 |
| 100+ | THB336.530 |
| 250+ | THB277.290 |
ราคาสำหรับสินค้า:Each (Supplied on Cut Tape)
ขั้นต่ำ: 1
หลายรายการ: 1
THB486.59
บันทึกของรายการ
เพิ่มไปยังใบยืนยันคำสั่งซื้อ ใบแจ้งหนี้ และใบจัดส่งสินค้าสำหรับคำสั่งซื้อนี้เท่านั้น
ข้อมูลผลิตภัณฑ์
ผู้ผลิตNEXPERIA
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิตGAN111-650WSBQ
รหัสสินค้า4550980
เอกสารข้อมูลทางเทคนิค
Drain Source Voltage Vds650V
Continuous Drain Current Id21A
Drain Source On State Resistance0.114ohm
Typical Gate Charge4.9nC
Transistor Case StyleTO-247
Transistor MountingThrough Hole
No. of Pins3Pins
Product Range-
Qualification-
SVHCNo SVHC (25-Jun-2025)
ข้อมูลจำเพาะทางเทคนิค
Drain Source Voltage Vds
650V
Drain Source On State Resistance
0.114ohm
Transistor Case Style
TO-247
No. of Pins
3Pins
Qualification
-
Continuous Drain Current Id
21A
Typical Gate Charge
4.9nC
Transistor Mounting
Through Hole
Product Range
-
SVHC
No SVHC (25-Jun-2025)
เอกสารทางเทคนิค (1)
กฎหมายและปัจจัยแวดล้อม
ประเทศต้นกำเนิด:
ประเทศสุดท้ายที่ดำเนินกระบวนการผลิตที่สำคัญประเทศต้นกำเนิด:Philippines
ประเทศสุดท้ายที่ดำเนินกระบวนการผลิตที่สำคัญ
ประเทศสุดท้ายที่ดำเนินกระบวนการผลิตที่สำคัญประเทศต้นกำเนิด:Philippines
ประเทศสุดท้ายที่ดำเนินกระบวนการผลิตที่สำคัญ
หมายเลขพิกัดอัตราภาษี:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
เป็นไปตามข้อกำหนด RoHS:ใช่
RoHS
การใช้สารพาทาเลตตามระเบียบ RoHS:ใช่
RoHS
SVHC:No SVHC (25-Jun-2025)
ดาวน์โหลดหนังสือรับรองมาตรฐานของผลิตภัณฑ์
หนังสือรับรองมาตรฐานของผลิตภัณฑ์
น้ำหนัก (กก.):.00001