พิมพ์หน้า
HMF04N65S
Power MOSFET, N Channel, 650 V, 4 A, 2.4 ohm, TO-220F, Through Hole
ภาพใช้เพื่อวัตถุประสงค์เพื่อแสดงตัวอย่างเท่านั้น โปรดดูรายละเอียดของผลิตภัณฑ์
ผู้ผลิตMULTICOMP PRO
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิตHMF04N65Sสำเนา
ระยะเวลานำส่งมาตรฐานของผู้ผลิต29 สัปดาห์
รหัสสินค้า4295176
Product RangeMulticomp Pro N Channel SUPERFETs
หมายเลขชิ้นส่วนของคุณ
4,957 ในสต็อก
อยากได้เพิ่มใช่ไหม
4,957 จัดส่งใน 3-4 วันทำการ(อังกฤษ สต็อก)
| จำนวน | ราคา (ราคาสินค้าไม่รวม vat) |
|---|---|
| 5+ | THB50.230 |
| 10+ | THB27.150 |
| 100+ | THB19.920 |
| 500+ | THB14.540 |
| 1000+ | THB12.910 |
ราคาสำหรับสินค้า:Each
ขั้นต่ำ: 5
หลายรายการ: 5
THB251.15
บันทึกของรายการ
เพิ่มไปยังใบยืนยันคำสั่งซื้อ ใบแจ้งหนี้ และใบจัดส่งสินค้าสำหรับคำสั่งซื้อนี้เท่านั้น
ข้อมูลผลิตภัณฑ์
ผู้ผลิตMULTICOMP PRO
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิตHMF04N65Sสำเนา
ระยะเวลานำส่งมาตรฐานของผู้ผลิต29 สัปดาห์
รหัสสินค้า4295176
Product RangeMulticomp Pro N Channel SUPERFETs
เอกสารข้อมูลทางเทคนิค
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds650V
Continuous Drain Current Id4A
Drain Source On State Resistance2.4ohm
Transistor Case StyleTO-220F
Transistor MountingThrough Hole
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max4V
Power Dissipation36W
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max150°C
Product RangeMulticomp Pro N Channel SUPERFETs
Qualification-
MSL-
SVHCLead (25-Jun-2025)
ภาพรวมของผลิตภัณฑ์
The SuperFET II MOSFET is a new high-voltage super-junction (SJ) MOSFET family that employs charge balance technology to achieve exceptionally low on-resistance and reduced gate charge performance. This technology is optimized to minimize conduction loss, deliver superior switching performance, and enhance dv/dt rate and avalanche energy handling.
- Typ. RDS(on) = 2Ω @ VGS = 10V
- 650 V @ TJ = 150°C
- Ultra Low Gate Charge (Typ. Qg = 20 nC)
- Low Effective Output Capacitance (Typ. Coss(eff.) = 90 pF)
- 100% Avalanche Tested
การใช้งาน
Telecom, DC/DC Converters, Sound & Video, Alternative Energy
ข้อมูลจำเพาะทางเทคนิค
Channel Type
N Channel
Continuous Drain Current Id
4A
Transistor Case Style
TO-220F
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation
36W
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
SVHC
Lead (25-Jun-2025)
Drain Source Voltage Vds
650V
Drain Source On State Resistance
2.4ohm
Transistor Mounting
Through Hole
Gate Source Threshold Voltage Max
4V
No. of Pins
3Pins
Product Range
Multicomp Pro N Channel SUPERFETs
MSL
-
เอกสารทางเทคนิค (1)
ตัวเลือกสำหรับ HMF04N65S
พบผลิตภัณฑ์จำนวน1
กฎหมายและปัจจัยแวดล้อม
ประเทศต้นกำเนิด:
ประเทศสุดท้ายที่ดำเนินกระบวนการผลิตที่สำคัญประเทศต้นกำเนิด:China
ประเทศสุดท้ายที่ดำเนินกระบวนการผลิตที่สำคัญ
ประเทศสุดท้ายที่ดำเนินกระบวนการผลิตที่สำคัญประเทศต้นกำเนิด:China
ประเทศสุดท้ายที่ดำเนินกระบวนการผลิตที่สำคัญ
หมายเลขพิกัดอัตราภาษี:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
เป็นไปตามข้อกำหนด RoHS:Y-Ex
RoHS
การใช้สารพาทาเลตตามระเบียบ RoHS:ใช่
RoHS
SVHC:Lead (25-Jun-2025)
ดาวน์โหลดหนังสือรับรองมาตรฐานของผลิตภัณฑ์
หนังสือรับรองมาตรฐานของผลิตภัณฑ์
น้ำหนัก (กก.):.002193