พิมพ์หน้า
MT53E1G16D1ZW-046 AIT:C
DRAM, AEC-Q100, LPDDR4, 16 Gbit, 1G x 16bit, 2.133 GHz, TFBGA, 200 Pins
ภาพใช้เพื่อวัตถุประสงค์เพื่อแสดงตัวอย่างเท่านั้น โปรดดูรายละเอียดของผลิตภัณฑ์
ผู้ผลิตMICRON
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิตMT53E1G16D1ZW-046 AIT:Cสำเนา
ระยะเวลานำส่งมาตรฐานของผู้ผลิต52 สัปดาห์
รหัสสินค้า4242607
หมายเลขชิ้นส่วนของคุณ
พร้อมให้สั่งซื้อ
แจ้งเตือนฉันเมื่อมีสินค้าในสต็อก
| จำนวน | ราคา (ราคาสินค้าไม่รวม vat) |
|---|---|
| 1+ | THB7,705.860 |
ราคาสำหรับสินค้า:Each
ขั้นต่ำ: 1
หลายรายการ: 1
THB7,705.86
บันทึกของรายการ
เพิ่มไปยังใบยืนยันคำสั่งซื้อ ใบแจ้งหนี้ และใบจัดส่งสินค้าสำหรับคำสั่งซื้อนี้เท่านั้น
ข้อมูลผลิตภัณฑ์
ผู้ผลิตMICRON
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิตMT53E1G16D1ZW-046 AIT:Cสำเนา
ระยะเวลานำส่งมาตรฐานของผู้ผลิต52 สัปดาห์
รหัสสินค้า4242607
เอกสารข้อมูลทางเทคนิค
DRAM TypeLPDDR4
Memory Density16Gbit
Memory Configuration1G x 16bit
Clock Frequency Max2.133GHz
IC Case / PackageTFBGA
No. of Pins200Pins
Supply Voltage Nom-
IC MountingSurface Mount
Operating Temperature Min-40°C
Operating Temperature Max95°C
Product Range-
SVHCNo SVHC (17-Dec-2015)
ภาพรวมของผลิตภัณฑ์
MT53E1G16D1ZW-046 AIT:C is a mobile LPDDR4 SDRAM. The mobile low-power DDR4 SDRAM is a high-speed, CMOS dynamic random-access memory device. This device is internally configured with 1 channel ×16 I/O, having 8-banks.
- 16n prefetch DDR architecture, 8 internal banks per channel for concurrent operation
- Single-data-rate CMD/ADR entry, bidirectional/differential data strobe per byte lane
- Programmable READ and WRITE latencies (RL/WL), programmable and on-the-fly burst lengths (BL=16, 32)
- Directed per-bank refresh for concurrent bank operation and ease of command scheduling
- On-chip temperature sensor to control self refresh rate
- Partial-array self refresh (PASR), selectable output drive strength (DS), clock-stop capability
- 2GB (16Gb) total density, 4266Mb/s data rate per pin
- 1.10V VDD2 / 0.60V VDDQ or 1.10V VDDQ operating voltage
- 200-ball TFBGA package, AEC-Q100 automotive qualified
- Operating temperature from -40°C to +95°C
ข้อมูลจำเพาะทางเทคนิค
DRAM Type
LPDDR4
Memory Configuration
1G x 16bit
IC Case / Package
TFBGA
Supply Voltage Nom
-
Operating Temperature Min
-40°C
Product Range
-
SVHC
No SVHC (17-Dec-2015)
Memory Density
16Gbit
Clock Frequency Max
2.133GHz
No. of Pins
200Pins
IC Mounting
Surface Mount
Operating Temperature Max
95°C
MSL
MSL 3 - 168 hours
เอกสารทางเทคนิค (2)
กฎหมายและปัจจัยแวดล้อม
ประเทศต้นกำเนิด:
ประเทศสุดท้ายที่ดำเนินกระบวนการผลิตที่สำคัญประเทศต้นกำเนิด:Taiwan
ประเทศสุดท้ายที่ดำเนินกระบวนการผลิตที่สำคัญ
ประเทศสุดท้ายที่ดำเนินกระบวนการผลิตที่สำคัญประเทศต้นกำเนิด:Taiwan
ประเทศสุดท้ายที่ดำเนินกระบวนการผลิตที่สำคัญ
หมายเลขพิกัดอัตราภาษี:85423239
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
เป็นไปตามข้อกำหนด RoHS:ใช่
RoHS
การใช้สารพาทาเลตตามระเบียบ RoHS:ใช่
RoHS
SVHC:No SVHC (17-Dec-2015)
ดาวน์โหลดหนังสือรับรองมาตรฐานของผลิตภัณฑ์
หนังสือรับรองมาตรฐานของผลิตภัณฑ์
น้ำหนัก (กก.):.001678