พิมพ์หน้า
TN0702N3-G
Power MOSFET, N Channel, 20 V, 530 mA, 1.3 ohm, TO-92, Through Hole
ภาพใช้เพื่อวัตถุประสงค์เพื่อแสดงตัวอย่างเท่านั้น โปรดดูรายละเอียดของผลิตภัณฑ์
ผู้ผลิตMICROCHIP
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิตTN0702N3-Gสำเนา
ระยะเวลานำส่งมาตรฐานของผู้ผลิต6 สัปดาห์
รหัสสินค้า2920846
หมายเลขชิ้นส่วนของคุณ
147 ในสต็อก
อยากได้เพิ่มใช่ไหม
147 จัดส่งใน 3-4 วันทำการ(อังกฤษ สต็อก)
| จำนวน | ราคา (ราคาสินค้าไม่รวม vat) |
|---|---|
| 1+ | THB50.090 |
| 25+ | THB49.090 |
| 100+ | THB48.090 |
| 1000+ | THB47.090 |
ราคาสำหรับสินค้า:Each
ขั้นต่ำ: 1
หลายรายการ: 1
THB50.09
บันทึกของรายการ
เพิ่มไปยังใบยืนยันคำสั่งซื้อ ใบแจ้งหนี้ และใบจัดส่งสินค้าสำหรับคำสั่งซื้อนี้เท่านั้น
ข้อมูลผลิตภัณฑ์
ผู้ผลิตMICROCHIP
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิตTN0702N3-Gสำเนา
ระยะเวลานำส่งมาตรฐานของผู้ผลิต6 สัปดาห์
รหัสสินค้า2920846
เอกสารข้อมูลทางเทคนิค
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds20V
Continuous Drain Current Id530mA
Drain Source On State Resistance1.3ohm
Transistor Case StyleTO-92
Transistor MountingThrough Hole
Rds(on) Test Voltage5V
Gate Source Threshold Voltage Max1V
Power Dissipation1W
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max150°C
Product Range-
Qualification-
MSL-
SVHCNo SVHC (04-Feb-2026)
ภาพรวมของผลิตภัณฑ์
This low threshold, enhancement-mode (normally-off) transistor utilises a vertical DMOS structure and Supertex’s well-proven, silicon-gate manufacturing process. This combination produces a device with the power handling capabilities of bipolar transistors and the high input impedance and positive temperature coefficient inherent in MOS devices. Characteristic of all MOS structures, this device is free from thermal runaway and thermally-induced secondary breakdown.
- Suitable for Logic level interfaces (TTL and CMOS), Solid state relays, Battery operated systems, Photo voltaic drives, Analog switches etc.
- Low threshold - 1.6V max.
- High input impedance
- Low input capacitance - 130pF typical
- Fast switching speeds
- Low on-resistance guaranteed at VGS = 2, 3, and 5V
- Free from secondary breakdown
- Low input and output leakage
ข้อมูลจำเพาะทางเทคนิค
Channel Type
N Channel
Continuous Drain Current Id
530mA
Transistor Case Style
TO-92
Rds(on) Test Voltage
5V
Power Dissipation
1W
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
SVHC
No SVHC (04-Feb-2026)
Drain Source Voltage Vds
20V
Drain Source On State Resistance
1.3ohm
Transistor Mounting
Through Hole
Gate Source Threshold Voltage Max
1V
No. of Pins
3Pins
Product Range
-
MSL
-
เอกสารทางเทคนิค (2)
กฎหมายและปัจจัยแวดล้อม
ประเทศต้นกำเนิด:
ประเทศสุดท้ายที่ดำเนินกระบวนการผลิตที่สำคัญประเทศต้นกำเนิด:Thailand
ประเทศสุดท้ายที่ดำเนินกระบวนการผลิตที่สำคัญ
ประเทศสุดท้ายที่ดำเนินกระบวนการผลิตที่สำคัญประเทศต้นกำเนิด:Thailand
ประเทศสุดท้ายที่ดำเนินกระบวนการผลิตที่สำคัญ
หมายเลขพิกัดอัตราภาษี:85412100
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
เป็นไปตามข้อกำหนด RoHS:ใช่
RoHS
การใช้สารพาทาเลตตามระเบียบ RoHS:ใช่
RoHS
SVHC:No SVHC (04-Feb-2026)
ดาวน์โหลดหนังสือรับรองมาตรฐานของผลิตภัณฑ์
หนังสือรับรองมาตรฐานของผลิตภัณฑ์
น้ำหนัก (กก.):.017097