พิมพ์หน้า
LND150N3-G
Power MOSFET, N Channel, 500 V, 30 mA, 1000 ohm, TO-92, Through Hole
ภาพใช้เพื่อวัตถุประสงค์เพื่อแสดงตัวอย่างเท่านั้น โปรดดูรายละเอียดของผลิตภัณฑ์
ผู้ผลิตMICROCHIP
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิตLND150N3-Gสำเนา
ระยะเวลานำส่งมาตรฐานของผู้ผลิต9 สัปดาห์
รหัสสินค้า2450521
หมายเลขชิ้นส่วนของคุณ
13,207 ในสต็อก
1,125 คุณสามารถจองสินค้าได้ทันที
27 จัดส่งใน 1-2 วันทำการ(สิงคโปร์ สต็อก)
13,180 จัดส่งใน 3-4 วันทำการ(อังกฤษ สต็อก)
| จำนวน | ราคา (ราคาสินค้าไม่รวม vat) |
|---|---|
| 1+ | THB19.770 |
| 25+ | THB19.380 |
| 100+ | THB18.980 |
| 1000+ | THB18.590 |
ราคาสำหรับสินค้า:Each
ขั้นต่ำ: 1
หลายรายการ: 1
THB19.77
บันทึกของรายการ
เพิ่มไปยังใบยืนยันคำสั่งซื้อ ใบแจ้งหนี้ และใบจัดส่งสินค้าสำหรับคำสั่งซื้อนี้เท่านั้น
ข้อมูลผลิตภัณฑ์
ผู้ผลิตMICROCHIP
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิตLND150N3-Gสำเนา
ระยะเวลานำส่งมาตรฐานของผู้ผลิต9 สัปดาห์
รหัสสินค้า2450521
เอกสารข้อมูลทางเทคนิค
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds500V
Continuous Drain Current Id30mA
Drain Source On State Resistance1000ohm
Transistor Case StyleTO-92
Transistor MountingThrough Hole
Rds(on) Test Voltage0V
Gate Source Threshold Voltage Max-
Power Dissipation740mW
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max150°C
Product Range-
Qualification-
MSL-
SVHCNo SVHC (04-Feb-2026)
ภาพรวมของผลิตภัณฑ์
The LND150N3-G is a 500V High Voltage N-channel Depletion Mode (normally-on) Transistor utilizing lateral DMOS technology. The gate is ESD protected. The LND150 is ideal for high voltage applications in the areas of normally-on switches, precision constant current sources, voltage ramp generation and amplification.
- Free from secondary breakdown
- Low power drive requirement
- Easy to parallel
- Excellent thermal stability
- Integral source-drain diode
- High input impedance and low CISS
- ESD gate protection
การใช้งาน
Power Management
ข้อมูลจำเพาะทางเทคนิค
Channel Type
N Channel
Continuous Drain Current Id
30mA
Transistor Case Style
TO-92
Rds(on) Test Voltage
0V
Power Dissipation
740mW
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
SVHC
No SVHC (04-Feb-2026)
Drain Source Voltage Vds
500V
Drain Source On State Resistance
1000ohm
Transistor Mounting
Through Hole
Gate Source Threshold Voltage Max
-
No. of Pins
3Pins
Product Range
-
MSL
-
เอกสารทางเทคนิค (2)
กฎหมายและปัจจัยแวดล้อม
ประเทศต้นกำเนิด:
ประเทศสุดท้ายที่ดำเนินกระบวนการผลิตที่สำคัญประเทศต้นกำเนิด:China
ประเทศสุดท้ายที่ดำเนินกระบวนการผลิตที่สำคัญ
ประเทศสุดท้ายที่ดำเนินกระบวนการผลิตที่สำคัญประเทศต้นกำเนิด:China
ประเทศสุดท้ายที่ดำเนินกระบวนการผลิตที่สำคัญ
หมายเลขพิกัดอัตราภาษี:85412100
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
เป็นไปตามข้อกำหนด RoHS:ใช่
RoHS
การใช้สารพาทาเลตตามระเบียบ RoHS:ใช่
RoHS
SVHC:No SVHC (04-Feb-2026)
ดาวน์โหลดหนังสือรับรองมาตรฐานของผลิตภัณฑ์
หนังสือรับรองมาตรฐานของผลิตภัณฑ์
น้ำหนัก (กก.):.000245