พิมพ์หน้า
IXYX110N120A4
IGBT, 375 A, 1.45 V, 1.36 kW, 1.2 kV, PLUS247, 3 Pins
ภาพใช้เพื่อวัตถุประสงค์เพื่อแสดงตัวอย่างเท่านั้น โปรดดูรายละเอียดของผลิตภัณฑ์
ผู้ผลิตLITTELFUSE
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิตIXYX110N120A4สำเนา
ระยะเวลานำส่งมาตรฐานของผู้ผลิต33 สัปดาห์
รหัสสินค้า3996595
Product RangeXPT GenX4 Series
หมายเลขชิ้นส่วนของคุณ
พร้อมให้สั่งซื้อ
ระยะเวลารอมาตรฐานของผู้ผลิต: 33 สัปดาห์
แจ้งเตือนฉันเมื่อมีสินค้าในสต็อก
| จำนวน | ราคา (ราคาสินค้าไม่รวม vat) |
|---|---|
| 1+ | THB993.660 |
| 5+ | THB880.960 |
| 10+ | THB768.260 |
| 50+ | THB749.910 |
| 100+ | THB733.030 |
ราคาสำหรับสินค้า:Each
ขั้นต่ำ: 1
หลายรายการ: 1
THB993.66
บันทึกของรายการ
เพิ่มไปยังใบยืนยันคำสั่งซื้อ ใบแจ้งหนี้ และใบจัดส่งสินค้าสำหรับคำสั่งซื้อนี้เท่านั้น
ข้อมูลผลิตภัณฑ์
ผู้ผลิตLITTELFUSE
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิตIXYX110N120A4สำเนา
ระยะเวลานำส่งมาตรฐานของผู้ผลิต33 สัปดาห์
รหัสสินค้า3996595
Product RangeXPT GenX4 Series
เอกสารข้อมูลทางเทคนิค
Continuous Collector Current375A
Collector Emitter Saturation Voltage1.45V
Power Dissipation1.36kW
Collector Emitter Voltage Max1.2kV
Transistor Case StylePLUS247
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max175°C
Transistor MountingThrough Hole
Product RangeXPT GenX4 Series
ภาพรวมของผลิตภัณฑ์
IXYX110N120A4 is an XPT™ ultra-low-Vsat PT IGBT for up to 5kHz switching. Utilizing XPT™ thin-wafer technology and 4th generation (GenX4™) Trench IGBT process, this device helps to reduce gate driver requirements and conduction losses. It features reduced thermal resistance, low losses, high current densities, and low gate charge requirement. A positive collector-to-emitter voltage temperature coefficient enables designers to use multiple devices in parallel. Typical applications include battery chargers, lamp ballasts, power inverters, uninterruptible power supplies (UPS), and welding machines.
- Ideal for high power density and high inrush currents, low loss applications
- Hard-switching capable, easy paralleling of devices
- Reduced gate driver requirements
- Low on-state voltages Vcesat, positive thermal coefficient of Vcesat
- TO-247 PLUS package type
- 1200V VCES at TJ = 25°C to 175°C
- 375A Ic25 at TC= 25°C (chip capability)
- 1.13/10Nm/lb.in mounting torque
- Junction temperature range from -55°C to 175°C
ข้อมูลจำเพาะทางเทคนิค
Continuous Collector Current
375A
Power Dissipation
1.36kW
Transistor Case Style
PLUS247
Operating Temperature Max
175°C
Product Range
XPT GenX4 Series
Collector Emitter Saturation Voltage
1.45V
Collector Emitter Voltage Max
1.2kV
No. of Pins
3Pins
Transistor Mounting
Through Hole
เอกสารทางเทคนิค (2)
กฎหมายและปัจจัยแวดล้อม
ประเทศต้นกำเนิด:
ประเทศสุดท้ายที่ดำเนินกระบวนการผลิตที่สำคัญประเทศต้นกำเนิด:South Korea
ประเทศสุดท้ายที่ดำเนินกระบวนการผลิตที่สำคัญ
ประเทศสุดท้ายที่ดำเนินกระบวนการผลิตที่สำคัญประเทศต้นกำเนิด:South Korea
ประเทศสุดท้ายที่ดำเนินกระบวนการผลิตที่สำคัญ
หมายเลขพิกัดอัตราภาษี:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
เป็นไปตามข้อกำหนด RoHS:Y-Ex
RoHS
การใช้สารพาทาเลตตามระเบียบ RoHS:ใช่
RoHS
ดาวน์โหลดหนังสือรับรองมาตรฐานของผลิตภัณฑ์
หนังสือรับรองมาตรฐานของผลิตภัณฑ์
น้ำหนัก (กก.):.008539