พิมพ์หน้า
IXFN82N60P
MOSFET Transistor, N Channel, 72 A, 600 V, 0.075 ohm, 10 V, 5 V
ภาพใช้เพื่อวัตถุประสงค์เพื่อแสดงตัวอย่างเท่านั้น โปรดดูรายละเอียดของผลิตภัณฑ์
ผู้ผลิตLITTELFUSE
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิตIXFN82N60P
รหัสสินค้า4757916
Product RangePolar HiPerFET Series
หมายเลขชิ้นส่วนของคุณ
พร้อมให้สั่งซื้อ
ลงทะเบียนเพื่อรับข่าวที่นี่
| จำนวน | ราคา (ราคาสินค้าไม่รวม vat) |
|---|---|
| 1+ | THB1,578.020 |
| 5+ | THB1,459.740 |
| 10+ | THB1,341.510 |
| 50+ | THB1,282.920 |
| 100+ | THB1,259.430 |
ราคาสำหรับสินค้า:Each
ขั้นต่ำ: 1
หลายรายการ: 1
THB1,578.02
บันทึกของรายการ
เพิ่มไปยังใบยืนยันคำสั่งซื้อ ใบแจ้งหนี้ และใบจัดส่งสินค้าสำหรับคำสั่งซื้อนี้เท่านั้น
ข้อมูลผลิตภัณฑ์
ผู้ผลิตLITTELFUSE
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิตIXFN82N60P
รหัสสินค้า4757916
Product RangePolar HiPerFET Series
เอกสารข้อมูลทางเทคนิค
Channel TypeN Channel
Continuous Drain Current Id72A
Drain Source Voltage Vds600V
Drain Source On State Resistance0.075ohm
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max5V
Power Dissipation1.04kW
Operating Temperature Max150°C
Product RangePolar HiPerFET Series
SVHCNo SVHC (25-Jun-2025)
ข้อมูลจำเพาะทางเทคนิค
Channel Type
N Channel
Drain Source Voltage Vds
600V
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation
1.04kW
Product Range
Polar HiPerFET Series
Continuous Drain Current Id
72A
Drain Source On State Resistance
0.075ohm
Gate Source Threshold Voltage Max
5V
Operating Temperature Max
150°C
SVHC
No SVHC (25-Jun-2025)
เอกสารทางเทคนิค (1)
กฎหมายและปัจจัยแวดล้อม
ประเทศต้นกำเนิด:
ประเทศสุดท้ายที่ดำเนินกระบวนการผลิตที่สำคัญประเทศต้นกำเนิด:South Korea
ประเทศสุดท้ายที่ดำเนินกระบวนการผลิตที่สำคัญ
ประเทศสุดท้ายที่ดำเนินกระบวนการผลิตที่สำคัญประเทศต้นกำเนิด:South Korea
ประเทศสุดท้ายที่ดำเนินกระบวนการผลิตที่สำคัญ
หมายเลขพิกัดอัตราภาษี:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
เป็นไปตามข้อกำหนด RoHS:Y-Ex
RoHS
การใช้สารพาทาเลตตามระเบียบ RoHS:ใช่
RoHS
SVHC:No SVHC (25-Jun-2025)
ดาวน์โหลดหนังสือรับรองมาตรฐานของผลิตภัณฑ์
หนังสือรับรองมาตรฐานของผลิตภัณฑ์
น้ำหนัก (กก.):1.559