พิมพ์หน้า
IXFN55N120SK
Silicon Carbide MOSFET, Single, N Channel, 54 A, 1.2 kV, 0.042 ohm, SOT-227B
ภาพใช้เพื่อวัตถุประสงค์เพื่อแสดงตัวอย่างเท่านั้น โปรดดูรายละเอียดของผลิตภัณฑ์
ไม่ได้ผลิตแล้ว
ข้อมูลผลิตภัณฑ์
ผู้ผลิตLITTELFUSE
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิตIXFN55N120SKสำเนา
รหัสสินค้า4353514
เอกสารข้อมูลทางเทคนิค
MOSFET Module ConfigurationSingle
Channel TypeN Channel
Continuous Drain Current Id54A
Drain Source Voltage Vds1.2kV
Drain Source On State Resistance0.042ohm
Transistor Case StyleSOT-227B
No. of Pins4Pins
Rds(on) Test Voltage15V
Gate Source Threshold Voltage Max3.6V
Power Dissipation-
Operating Temperature Max150°C
Product Range-
SVHCTo Be Advised
ข้อมูลจำเพาะทางเทคนิค
MOSFET Module Configuration
Single
Continuous Drain Current Id
54A
Drain Source On State Resistance
0.042ohm
No. of Pins
4Pins
Gate Source Threshold Voltage Max
3.6V
Operating Temperature Max
150°C
SVHC
To Be Advised
Channel Type
N Channel
Drain Source Voltage Vds
1.2kV
Transistor Case Style
SOT-227B
Rds(on) Test Voltage
15V
Power Dissipation
-
Product Range
-
เอกสารทางเทคนิค (3)
กฎหมายและปัจจัยแวดล้อม
ประเทศต้นกำเนิด:
ประเทศสุดท้ายที่ดำเนินกระบวนการผลิตที่สำคัญประเทศต้นกำเนิด:South Korea
ประเทศสุดท้ายที่ดำเนินกระบวนการผลิตที่สำคัญ
ประเทศสุดท้ายที่ดำเนินกระบวนการผลิตที่สำคัญประเทศต้นกำเนิด:South Korea
ประเทศสุดท้ายที่ดำเนินกระบวนการผลิตที่สำคัญ
หมายเลขพิกัดอัตราภาษี:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
เป็นไปตามข้อกำหนด RoHS:ใช่
RoHS
การใช้สารพาทาเลตตามระเบียบ RoHS:ใช่
RoHS
SVHC:To Be Advised
ดาวน์โหลดหนังสือรับรองมาตรฐานของผลิตภัณฑ์
หนังสือรับรองมาตรฐานของผลิตภัณฑ์
น้ำหนัก (กก.):.03