พิมพ์หน้า
IXFH170N25X3
Power MOSFET, N Channel, 250 V, 170 A, 6100 µohm, TO-247, Through Hole
ภาพใช้เพื่อวัตถุประสงค์เพื่อแสดงตัวอย่างเท่านั้น โปรดดูรายละเอียดของผลิตภัณฑ์
ผู้ผลิตLITTELFUSE
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิตIXFH170N25X3สำเนา
ระยะเวลานำส่งมาตรฐานของผู้ผลิต35 สัปดาห์
รหัสสินค้า3930509
Product RangeX3-Class HiPerFET Series
หมายเลขชิ้นส่วนของคุณ
พร้อมให้สั่งซื้อ
แจ้งเตือนฉันเมื่อมีสินค้าในสต็อก
| จำนวน | ราคา (ราคาสินค้าไม่รวม vat) |
|---|---|
| 1+ | THB796.140 |
| 5+ | THB749.640 |
| 10+ | THB703.140 |
| 50+ | THB656.630 |
| 100+ | THB610.130 |
| 250+ | THB563.620 |
ราคาสำหรับสินค้า:Each
ขั้นต่ำ: 1
หลายรายการ: 1
THB796.14
บันทึกของรายการ
เพิ่มไปยังใบยืนยันคำสั่งซื้อ ใบแจ้งหนี้ และใบจัดส่งสินค้าสำหรับคำสั่งซื้อนี้เท่านั้น
ข้อมูลผลิตภัณฑ์
ผู้ผลิตLITTELFUSE
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิตIXFH170N25X3สำเนา
ระยะเวลานำส่งมาตรฐานของผู้ผลิต35 สัปดาห์
รหัสสินค้า3930509
Product RangeX3-Class HiPerFET Series
เอกสารข้อมูลทางเทคนิค
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds250V
Continuous Drain Current Id170A
Drain Source On State Resistance6100µohm
Transistor Case StyleTO-247
Transistor MountingThrough Hole
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max4.5V
Power Dissipation890W
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max150°C
Product RangeX3-Class HiPerFET Series
Qualification-
MSL-
ภาพรวมของผลิตภัณฑ์
N-channel enhancement mode avalanche rated fast intrinsic diode. It is suitable for use in DC-DC converters, switch-mode and resonant-mode power supplies, AC and DC motor drives, PFC circuits, robotics and servo controls applications.
- Low RDS(ON) and QG
- Low package inductance
- High power density
- Easy to mount
- Space savings
ข้อมูลจำเพาะทางเทคนิค
Channel Type
N Channel
Continuous Drain Current Id
170A
Transistor Case Style
TO-247
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation
890W
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
Drain Source Voltage Vds
250V
Drain Source On State Resistance
6100µohm
Transistor Mounting
Through Hole
Gate Source Threshold Voltage Max
4.5V
No. of Pins
3Pins
Product Range
X3-Class HiPerFET Series
MSL
-
เอกสารทางเทคนิค (2)
กฎหมายและปัจจัยแวดล้อม
ประเทศต้นกำเนิด:
ประเทศสุดท้ายที่ดำเนินกระบวนการผลิตที่สำคัญประเทศต้นกำเนิด:South Korea
ประเทศสุดท้ายที่ดำเนินกระบวนการผลิตที่สำคัญ
ประเทศสุดท้ายที่ดำเนินกระบวนการผลิตที่สำคัญประเทศต้นกำเนิด:South Korea
ประเทศสุดท้ายที่ดำเนินกระบวนการผลิตที่สำคัญ
หมายเลขพิกัดอัตราภาษี:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
เป็นไปตามข้อกำหนด RoHS:ใช่
RoHS
การใช้สารพาทาเลตตามระเบียบ RoHS:ใช่
RoHS
ดาวน์โหลดหนังสือรับรองมาตรฐานของผลิตภัณฑ์
หนังสือรับรองมาตรฐานของผลิตภัณฑ์
น้ำหนัก (กก.):.007877