พิมพ์หน้า
IXTQ170N10P
Power MOSFET, PolarFET, N Channel, 100 V, 170 A, 9000 µohm, TO-3P, Through Hole
ภาพใช้เพื่อวัตถุประสงค์เพื่อแสดงตัวอย่างเท่านั้น โปรดดูรายละเอียดของผลิตภัณฑ์
ผู้ผลิตIXYS SEMICONDUCTOR
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิตIXTQ170N10Pสำเนา
รหัสสินค้า1427383
หมายเลขชิ้นส่วนของคุณ
ไม่มีสต็อกแล้ว
ข้อมูลผลิตภัณฑ์
ผู้ผลิตIXYS SEMICONDUCTOR
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิตIXTQ170N10Pสำเนา
รหัสสินค้า1427383
เอกสารข้อมูลทางเทคนิค
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds100V
Continuous Drain Current Id170A
Drain Source On State Resistance9000µohm
Transistor Case StyleTO-3P
Transistor MountingThrough Hole
Rds(on) Test Voltage15V
Gate Source Threshold Voltage Max5V
Power Dissipation714W
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max175°C
Product Range-
Qualification-
MSL-
ข้อมูลจำเพาะทางเทคนิค
Channel Type
N Channel
Continuous Drain Current Id
170A
Transistor Case Style
TO-3P
Rds(on) Test Voltage
15V
Power Dissipation
714W
Operating Temperature Max
175°C
Qualification
-
Drain Source Voltage Vds
100V
Drain Source On State Resistance
9000µohm
Transistor Mounting
Through Hole
Gate Source Threshold Voltage Max
5V
No. of Pins
3Pins
Product Range
-
MSL
-
เอกสารทางเทคนิค (2)
กฎหมายและปัจจัยแวดล้อม
ประเทศต้นกำเนิด:
ประเทศสุดท้ายที่ดำเนินกระบวนการผลิตที่สำคัญประเทศต้นกำเนิด:Germany
ประเทศสุดท้ายที่ดำเนินกระบวนการผลิตที่สำคัญ
ประเทศสุดท้ายที่ดำเนินกระบวนการผลิตที่สำคัญประเทศต้นกำเนิด:Germany
ประเทศสุดท้ายที่ดำเนินกระบวนการผลิตที่สำคัญ
หมายเลขพิกัดอัตราภาษี:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
เป็นไปตามข้อกำหนด RoHS:ใช่
RoHS
การใช้สารพาทาเลตตามระเบียบ RoHS:จะแจ้งให้ทราบ
ดาวน์โหลดหนังสือรับรองมาตรฐานของผลิตภัณฑ์
หนังสือรับรองมาตรฐานของผลิตภัณฑ์
น้ำหนัก (กก.):.005