พิมพ์หน้า
IXTK120N25P
Power MOSFET, PolarFET, N Channel, 250 V, 120 A, 0.024 ohm, TO-264, Through Hole
ภาพใช้เพื่อวัตถุประสงค์เพื่อแสดงตัวอย่างเท่านั้น โปรดดูรายละเอียดของผลิตภัณฑ์
ผู้ผลิตIXYS SEMICONDUCTOR
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิตIXTK120N25Pสำเนา
ระยะเวลานำส่งมาตรฐานของผู้ผลิต39 สัปดาห์
รหัสสินค้า1427358
หมายเลขชิ้นส่วนของคุณ
พร้อมให้สั่งซื้อ
แจ้งเตือนฉันเมื่อมีสินค้าในสต็อก
| จำนวน | ราคา (ราคาสินค้าไม่รวม vat) |
|---|---|
| 1+ | THB734.730 |
| 5+ | THB601.880 |
| 10+ | THB493.550 |
ราคาสำหรับสินค้า:Each
ขั้นต่ำ: 1
หลายรายการ: 1
THB734.73
บันทึกของรายการ
เพิ่มไปยังใบยืนยันคำสั่งซื้อ ใบแจ้งหนี้ และใบจัดส่งสินค้าสำหรับคำสั่งซื้อนี้เท่านั้น
ข้อมูลผลิตภัณฑ์
ผู้ผลิตIXYS SEMICONDUCTOR
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิตIXTK120N25Pสำเนา
ระยะเวลานำส่งมาตรฐานของผู้ผลิต39 สัปดาห์
รหัสสินค้า1427358
เอกสารข้อมูลทางเทคนิค
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds250V
Continuous Drain Current Id120A
Drain Source On State Resistance0.024ohm
Transistor Case StyleTO-264
Transistor MountingThrough Hole
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max5V
Power Dissipation700W
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max175°C
Product Range-
Qualification-
MSL-
SVHCNo SVHC (17-Jan-2023)
ภาพรวมของผลิตภัณฑ์
The IXTK120N25P is a Polar™ single N-channel enhancement-mode Power MOSFET with fast intrinsic diode. It features reduced static drain-to-source ON-resistance and high power density. It is suitable for DC-to-DC converters, laser drivers, switched-mode and resonant-mode power supplies.
- International standard packages
- Avalanche rating
- Low package inductance
- Easy to mount
- Space saving
การใช้งาน
Power Management, Motor Drive & Control, Robotics
คำเตือน
Market demand for this product has caused an extension in leadtimes. Delivery dates may fluctuate. Product exempt from discounts.
ข้อมูลจำเพาะทางเทคนิค
Channel Type
N Channel
Continuous Drain Current Id
120A
Transistor Case Style
TO-264
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation
700W
Operating Temperature Max
175°C
Qualification
-
SVHC
No SVHC (17-Jan-2023)
Drain Source Voltage Vds
250V
Drain Source On State Resistance
0.024ohm
Transistor Mounting
Through Hole
Gate Source Threshold Voltage Max
5V
No. of Pins
3Pins
Product Range
-
MSL
-
เอกสารทางเทคนิค (2)
กฎหมายและปัจจัยแวดล้อม
ประเทศต้นกำเนิด:
ประเทศสุดท้ายที่ดำเนินกระบวนการผลิตที่สำคัญประเทศต้นกำเนิด:Germany
ประเทศสุดท้ายที่ดำเนินกระบวนการผลิตที่สำคัญ
ประเทศสุดท้ายที่ดำเนินกระบวนการผลิตที่สำคัญประเทศต้นกำเนิด:Germany
ประเทศสุดท้ายที่ดำเนินกระบวนการผลิตที่สำคัญ
หมายเลขพิกัดอัตราภาษี:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
เป็นไปตามข้อกำหนด RoHS:ใช่
RoHS
การใช้สารพาทาเลตตามระเบียบ RoHS:ใช่
RoHS
SVHC:No SVHC (17-Jan-2023)
ดาวน์โหลดหนังสือรับรองมาตรฐานของผลิตภัณฑ์
หนังสือรับรองมาตรฐานของผลิตภัณฑ์
น้ำหนัก (กก.):.027216