พิมพ์หน้า
IXGR32N170AH1
IGBT, 26 A, 5.2 V, 200 W, 1.7 kV, ISOPLUS-247, 3 Pins
ภาพใช้เพื่อวัตถุประสงค์เพื่อแสดงตัวอย่างเท่านั้น โปรดดูรายละเอียดของผลิตภัณฑ์
ผู้ผลิตIXYS SEMICONDUCTOR
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิตIXGR32N170AH1
รหัสสินค้า1300111
หมายเลขชิ้นส่วนของคุณ
เอกสารข้อมูลทางเทคนิค
ไม่ได้ผลิตแล้ว
ข้อมูลผลิตภัณฑ์
ผู้ผลิตIXYS SEMICONDUCTOR
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิตIXGR32N170AH1
รหัสสินค้า1300111
เอกสารข้อมูลทางเทคนิค
Continuous Collector Current26A
Collector Emitter Saturation Voltage5.2V
Power Dissipation200W
Transistor Case StyleISOPLUS-247
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max150°C
Transistor MountingThrough Hole
Product Range-
ข้อมูลจำเพาะทางเทคนิค
Continuous Collector Current
26A
Power Dissipation
200W
No. of Pins
3Pins
Transistor Mounting
Through Hole
Collector Emitter Saturation Voltage
5.2V
Transistor Case Style
ISOPLUS-247
Operating Temperature Max
150°C
Product Range
-
เอกสารทางเทคนิค (2)
กฎหมายและปัจจัยแวดล้อม
ประเทศต้นกำเนิด:
ประเทศสุดท้ายที่ดำเนินกระบวนการผลิตที่สำคัญประเทศต้นกำเนิด:Germany
ประเทศสุดท้ายที่ดำเนินกระบวนการผลิตที่สำคัญ
ประเทศสุดท้ายที่ดำเนินกระบวนการผลิตที่สำคัญประเทศต้นกำเนิด:Germany
ประเทศสุดท้ายที่ดำเนินกระบวนการผลิตที่สำคัญ
หมายเลขพิกัดอัตราภาษี:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
เป็นไปตามข้อกำหนด RoHS:ใช่
RoHS
การใช้สารพาทาเลตตามระเบียบ RoHS:จะแจ้งให้ทราบ
ดาวน์โหลดหนังสือรับรองมาตรฐานของผลิตภัณฑ์
หนังสือรับรองมาตรฐานของผลิตภัณฑ์
น้ำหนัก (กก.):.005