พิมพ์หน้า
ภาพใช้เพื่อวัตถุประสงค์เพื่อแสดงตัวอย่างเท่านั้น โปรดดูรายละเอียดของผลิตภัณฑ์
ผู้ผลิตIXYS SEMICONDUCTOR
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิตIXGF32N170
รหัสสินค้า1300108
หมายเลขชิ้นส่วนของคุณ
เอกสารข้อมูลทางเทคนิค
ไม่ได้ผลิตแล้ว
ข้อมูลผลิตภัณฑ์
ผู้ผลิตIXYS SEMICONDUCTOR
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิตIXGF32N170
รหัสสินค้า1300108
เอกสารข้อมูลทางเทคนิค
Continuous Collector Current44A
Collector Emitter Saturation Voltage3.5V
Power Dissipation200W
Collector Emitter Voltage Max1.7kV
Transistor Case StyleISOPLUS i4-PAC
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max150°C
Transistor MountingThrough Hole
Product Range-
MSL-
SVHCNo SVHC (17-Jan-2023)
ภาพรวมของผลิตภัณฑ์
The IXGF32N170 is a High Voltage IGBT for use with surface-mounting applications, capacitor discharge and pulse circuits.
- Electrically isolated tab
- High current handling capability
- Rugged NPT structure
- High power density
- UL94V-0 Flammability rating
การใช้งาน
Motor Drive & Control, Power Management
คำเตือน
Market demand for this product has caused an extension in leadtimes. Delivery dates may fluctuate. Product exempt from discounts.
ข้อมูลจำเพาะทางเทคนิค
Continuous Collector Current
44A
Power Dissipation
200W
Transistor Case Style
ISOPLUS i4-PAC
Operating Temperature Max
150°C
Product Range
-
SVHC
No SVHC (17-Jan-2023)
Collector Emitter Saturation Voltage
3.5V
Collector Emitter Voltage Max
1.7kV
No. of Pins
3Pins
Transistor Mounting
Through Hole
MSL
-
เอกสารทางเทคนิค (3)
ผลิตภัณฑ์ที่เกี่ยวข้อง
พบผลิตภัณฑ์จำนวน2
กฎหมายและปัจจัยแวดล้อม
ประเทศต้นกำเนิด:
ประเทศสุดท้ายที่ดำเนินกระบวนการผลิตที่สำคัญประเทศต้นกำเนิด:Germany
ประเทศสุดท้ายที่ดำเนินกระบวนการผลิตที่สำคัญ
ประเทศสุดท้ายที่ดำเนินกระบวนการผลิตที่สำคัญประเทศต้นกำเนิด:Germany
ประเทศสุดท้ายที่ดำเนินกระบวนการผลิตที่สำคัญ
หมายเลขพิกัดอัตราภาษี:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
เป็นไปตามข้อกำหนด RoHS:ใช่
RoHS
การใช้สารพาทาเลตตามระเบียบ RoHS:ใช่
RoHS
SVHC:No SVHC (17-Jan-2023)
ดาวน์โหลดหนังสือรับรองมาตรฐานของผลิตภัณฑ์
หนังสือรับรองมาตรฐานของผลิตภัณฑ์
น้ำหนัก (กก.):.006