พิมพ์หน้า
IXFR64N50P
MOSFET, N, ISOPLUS247
ภาพใช้เพื่อวัตถุประสงค์เพื่อแสดงตัวอย่างเท่านั้น โปรดดูรายละเอียดของผลิตภัณฑ์
ผู้ผลิตIXYS SEMICONDUCTOR
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิตIXFR64N50Pสำเนา
รหัสสินค้า1300100
หมายเลขชิ้นส่วนของคุณ
ไม่มีสต็อกแล้ว
ข้อมูลผลิตภัณฑ์
ผู้ผลิตIXYS SEMICONDUCTOR
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิตIXFR64N50Pสำเนา
รหัสสินค้า1300100
เอกสารข้อมูลทางเทคนิค
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds500V
Continuous Drain Current Id35A
Drain Source On State Resistance0.095ohm
Transistor Case StyleISOPLUS-247
Transistor MountingThrough Hole
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max5.5V
Power Dissipation300W
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max150°C
Product Range-
Qualification-
ข้อมูลจำเพาะทางเทคนิค
Channel Type
N Channel
Continuous Drain Current Id
35A
Transistor Case Style
ISOPLUS-247
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation
300W
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
Drain Source Voltage Vds
500V
Drain Source On State Resistance
0.095ohm
Transistor Mounting
Through Hole
Gate Source Threshold Voltage Max
5.5V
No. of Pins
3Pins
Product Range
-
เอกสารทางเทคนิค (2)
กฎหมายและปัจจัยแวดล้อม
ประเทศต้นกำเนิด:
ประเทศสุดท้ายที่ดำเนินกระบวนการผลิตที่สำคัญประเทศต้นกำเนิด:Germany
ประเทศสุดท้ายที่ดำเนินกระบวนการผลิตที่สำคัญ
ประเทศสุดท้ายที่ดำเนินกระบวนการผลิตที่สำคัญประเทศต้นกำเนิด:Germany
ประเทศสุดท้ายที่ดำเนินกระบวนการผลิตที่สำคัญ
หมายเลขพิกัดอัตราภาษี:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
เป็นไปตามข้อกำหนด RoHS:ใช่
RoHS
การใช้สารพาทาเลตตามระเบียบ RoHS:จะแจ้งให้ทราบ
ดาวน์โหลดหนังสือรับรองมาตรฐานของผลิตภัณฑ์
หนังสือรับรองมาตรฐานของผลิตภัณฑ์
น้ำหนัก (กก.):.005