พิมพ์หน้า
IXFN360N10T
MOSFET Transistor, GigaMOS™, N Channel, 360 A, 100 V, 0.0026 ohm, 100 V, 4.5 V, SOT-227B
ภาพใช้เพื่อวัตถุประสงค์เพื่อแสดงตัวอย่างเท่านั้น โปรดดูรายละเอียดของผลิตภัณฑ์
ผู้ผลิตIXYS SEMICONDUCTOR
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิตIXFN360N10T
รหัสสินค้า2784061
Product RangeTrench HiperFET
หมายเลขชิ้นส่วนของคุณ
219 ในสต็อก
300 คุณสามารถจองสินค้าได้ทันที
219 จัดส่งใน 3-4 วันทำการ(อังกฤษ สต็อก)
| จำนวน | ราคา (ราคาสินค้าไม่รวม vat) |
|---|---|
| 1+ | THB1,161.290 |
| 5+ | THB1,055.810 |
| 10+ | THB954.780 |
ราคาสำหรับสินค้า:Each
ขั้นต่ำ: 1
หลายรายการ: 1
THB1,161.29
บันทึกของรายการ
เพิ่มไปยังใบยืนยันคำสั่งซื้อ ใบแจ้งหนี้ และใบจัดส่งสินค้าสำหรับคำสั่งซื้อนี้เท่านั้น
ข้อมูลผลิตภัณฑ์
ผู้ผลิตIXYS SEMICONDUCTOR
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิตIXFN360N10T
รหัสสินค้า2784061
Product RangeTrench HiperFET
เอกสารข้อมูลทางเทคนิค
Channel TypeN Channel
Continuous Drain Current Id360A
Drain Source Voltage Vds100V
Drain Source On State Resistance2600µohm
Rds(on) Test Voltage100V
Gate Source Threshold Voltage Max4.5V
Power Dissipation830W
Operating Temperature Max175°C
Product RangeTrench HiperFET
SVHCNo SVHC (12-Jan-2017)
ภาพรวมของผลิตภัณฑ์
การใช้งาน
Medical
ข้อมูลจำเพาะทางเทคนิค
Channel Type
N Channel
Drain Source Voltage Vds
100V
Rds(on) Test Voltage
100V
Power Dissipation
830W
Product Range
Trench HiperFET
Continuous Drain Current Id
360A
Drain Source On State Resistance
2600µohm
Gate Source Threshold Voltage Max
4.5V
Operating Temperature Max
175°C
SVHC
No SVHC (12-Jan-2017)
เอกสารทางเทคนิค (2)
กฎหมายและปัจจัยแวดล้อม
ประเทศต้นกำเนิด:
ประเทศสุดท้ายที่ดำเนินกระบวนการผลิตที่สำคัญประเทศต้นกำเนิด:United States
ประเทศสุดท้ายที่ดำเนินกระบวนการผลิตที่สำคัญ
ประเทศสุดท้ายที่ดำเนินกระบวนการผลิตที่สำคัญประเทศต้นกำเนิด:United States
ประเทศสุดท้ายที่ดำเนินกระบวนการผลิตที่สำคัญ
หมายเลขพิกัดอัตราภาษี:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
เป็นไปตามข้อกำหนด RoHS:Y-Ex
RoHS
การใช้สารพาทาเลตตามระเบียบ RoHS:ใช่
RoHS
SVHC:No SVHC (12-Jan-2017)
ดาวน์โหลดหนังสือรับรองมาตรฐานของผลิตภัณฑ์
หนังสือรับรองมาตรฐานของผลิตภัณฑ์
น้ำหนัก (กก.):.001361