พิมพ์หน้า
IXFN200N10P
MOSFET Transistor, PolarFET, N Channel, 200 A, 100 V, 7500 µohm, 15 V, 5 V
ภาพใช้เพื่อวัตถุประสงค์เพื่อแสดงตัวอย่างเท่านั้น โปรดดูรายละเอียดของผลิตภัณฑ์
ผู้ผลิตIXYS SEMICONDUCTOR
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิตIXFN200N10Pสำเนา
ระยะเวลานำส่งมาตรฐานของผู้ผลิต24 สัปดาห์
รหัสสินค้า1427322
Product RangePolar(TM) HiPerFET
หมายเลขชิ้นส่วนของคุณ
1,626 ในสต็อก
อยากได้เพิ่มใช่ไหม
1,626 จัดส่งใน 3-4 วันทำการ(อังกฤษ สต็อก)
| จำนวน | ราคา (ราคาสินค้าไม่รวม vat) |
|---|---|
| 1+ | THB1,139.280 |
| 5+ | THB1,065.390 |
| 10+ | THB991.490 |
| 50+ | THB973.490 |
ราคาสำหรับสินค้า:Each
ขั้นต่ำ: 1
หลายรายการ: 1
THB1,139.28
บันทึกของรายการ
เพิ่มไปยังใบยืนยันคำสั่งซื้อ ใบแจ้งหนี้ และใบจัดส่งสินค้าสำหรับคำสั่งซื้อนี้เท่านั้น
ข้อมูลผลิตภัณฑ์
ผู้ผลิตIXYS SEMICONDUCTOR
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิตIXFN200N10Pสำเนา
ระยะเวลานำส่งมาตรฐานของผู้ผลิต24 สัปดาห์
รหัสสินค้า1427322
Product RangePolar(TM) HiPerFET
เอกสารข้อมูลทางเทคนิค
Channel TypeN Channel
Continuous Drain Current Id200A
Drain Source Voltage Vds100V
Drain Source On State Resistance7500µohm
Rds(on) Test Voltage15V
Transistor Case StyleISOTOP
Transistor MountingModule
Gate Source Threshold Voltage Max5V
Power Dissipation680W
Operating Temperature Max175°C
No. of Pins4Pins
Product RangePolar(TM) HiPerFET
MSL-
SVHCNo SVHC (17-Jan-2023)
ภาพรวมของผลิตภัณฑ์
The IXFN200N10P is a N-channel enhancement mode Power MOSFET features miniBLOC with aluminium nitride isolation, low RDS (on) HDMOSTM process, rugged polysilicon gate cell structure and unclamped inductive switching (UIS) rated.
- Fast intrinsic rectifier
- Rugged polysilicon gate cell structure
- Encapsulating epoxy meets UL94V-0, flammability classification
- Rugged polysilicon gate cell structure
- Easy to mount
- High power density
- Space savings
การใช้งาน
Power Management, Lighting
ข้อมูลจำเพาะทางเทคนิค
Channel Type
N Channel
Drain Source Voltage Vds
100V
Rds(on) Test Voltage
15V
Transistor Mounting
Module
Power Dissipation
680W
No. of Pins
4Pins
MSL
-
Continuous Drain Current Id
200A
Drain Source On State Resistance
7500µohm
Transistor Case Style
ISOTOP
Gate Source Threshold Voltage Max
5V
Operating Temperature Max
175°C
Product Range
Polar(TM) HiPerFET
SVHC
No SVHC (17-Jan-2023)
เอกสารทางเทคนิค (2)
ผลิตภัณฑ์ที่เกี่ยวข้อง
พบผลิตภัณฑ์จำนวน1
กฎหมายและปัจจัยแวดล้อม
ประเทศต้นกำเนิด:
ประเทศสุดท้ายที่ดำเนินกระบวนการผลิตที่สำคัญประเทศต้นกำเนิด:Germany
ประเทศสุดท้ายที่ดำเนินกระบวนการผลิตที่สำคัญ
ประเทศสุดท้ายที่ดำเนินกระบวนการผลิตที่สำคัญประเทศต้นกำเนิด:Germany
ประเทศสุดท้ายที่ดำเนินกระบวนการผลิตที่สำคัญ
หมายเลขพิกัดอัตราภาษี:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
เป็นไปตามข้อกำหนด RoHS:ใช่
RoHS
การใช้สารพาทาเลตตามระเบียบ RoHS:ใช่
RoHS
SVHC:No SVHC (17-Jan-2023)
ดาวน์โหลดหนังสือรับรองมาตรฐานของผลิตภัณฑ์
หนังสือรับรองมาตรฐานของผลิตภัณฑ์
น้ำหนัก (กก.):.03