พิมพ์หน้า
ภาพใช้เพื่อวัตถุประสงค์เพื่อแสดงตัวอย่างเท่านั้น โปรดดูรายละเอียดของผลิตภัณฑ์

ผู้ผลิตIXYS SEMICONDUCTOR
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิตIXFH15N100สำเนา
รหัสสินค้า9359583
หมายเลขชิ้นส่วนของคุณ
ไม่ได้ผลิตแล้ว
ข้อมูลผลิตภัณฑ์
ผู้ผลิตIXYS SEMICONDUCTOR
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิตIXFH15N100สำเนา
รหัสสินค้า9359583
เอกสารข้อมูลทางเทคนิค
Channel TypeN Channel
Continuous Drain Current Id15A
Drain Source On State Resistance0.7ohm
Transistor Case StyleTO-247
Transistor MountingThrough Hole
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max4.5V
Power Dissipation360W
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max150°C
Product Range-
Qualification-
ภาพรวมของผลิตภัณฑ์
The IXFH15N100 is a HiPerFET™ N-channel enhancement-mode Power MOSFET features low package inductance easy to drive and to protect and fast intrinsic rectifier.
- Unclamped inductive switching (UIS) rated
- International standard package
- Rugged polysilicon gate cell structure
- Low RDS (ON)
- High dV/dt and low trr
- Easy to mount
- High power density
การใช้งาน
Power Management, Industrial, Motor Drive & Control
ข้อมูลจำเพาะทางเทคนิค
Channel Type
N Channel
Drain Source On State Resistance
0.7ohm
Transistor Mounting
Through Hole
Gate Source Threshold Voltage Max
4.5V
No. of Pins
3Pins
Product Range
-
Continuous Drain Current Id
15A
Transistor Case Style
TO-247
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation
360W
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
เอกสารทางเทคนิค (2)
ผลิตภัณฑ์ที่เกี่ยวข้อง
พบผลิตภัณฑ์จำนวน4
กฎหมายและปัจจัยแวดล้อม
ประเทศต้นกำเนิด:
ประเทศสุดท้ายที่ดำเนินกระบวนการผลิตที่สำคัญประเทศต้นกำเนิด:Germany
ประเทศสุดท้ายที่ดำเนินกระบวนการผลิตที่สำคัญ
ประเทศสุดท้ายที่ดำเนินกระบวนการผลิตที่สำคัญประเทศต้นกำเนิด:Germany
ประเทศสุดท้ายที่ดำเนินกระบวนการผลิตที่สำคัญ
หมายเลขพิกัดอัตราภาษี:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
เป็นไปตามข้อกำหนด RoHS:ใช่
RoHS
การใช้สารพาทาเลตตามระเบียบ RoHS:จะแจ้งให้ทราบ
ดาวน์โหลดหนังสือรับรองมาตรฐานของผลิตภัณฑ์
หนังสือรับรองมาตรฐานของผลิตภัณฑ์
น้ำหนัก (กก.):.006