พิมพ์หน้า
ภาพใช้เพื่อวัตถุประสงค์เพื่อแสดงตัวอย่างเท่านั้น โปรดดูรายละเอียดของผลิตภัณฑ์

ผู้ผลิตIXYS SEMICONDUCTOR
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิตIXFA10N80Pสำเนา
รหัสสินค้า1427281
หมายเลขชิ้นส่วนของคุณ
ไม่มีสต็อกแล้ว
ข้อมูลผลิตภัณฑ์
ผู้ผลิตIXYS SEMICONDUCTOR
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิตIXFA10N80Pสำเนา
รหัสสินค้า1427281
เอกสารข้อมูลทางเทคนิค
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds800V
Continuous Drain Current Id10A
Drain Source On State Resistance1.1ohm
Transistor Case StyleTO-263 (D2PAK)
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max5.5V
Power Dissipation300W
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max150°C
Product Range-
Qualification-
ภาพรวมของผลิตภัณฑ์
The IXFA10N80P is a PolarHV™ HiPerFET N-channel enhancement-mode Power MOSFET features avalanche rated and fast intrinsic diode.
- International standard package
- Unclamped inductive switching (UIS) rated
- Easy to drive and to protect
- Easy to mount
- Space savings
- High power density
- Low package inductance
การใช้งาน
Industrial, Power Management
ข้อมูลจำเพาะทางเทคนิค
Channel Type
N Channel
Continuous Drain Current Id
10A
Transistor Case Style
TO-263 (D2PAK)
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation
300W
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
Drain Source Voltage Vds
800V
Drain Source On State Resistance
1.1ohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Gate Source Threshold Voltage Max
5.5V
No. of Pins
3Pins
Product Range
-
เอกสารทางเทคนิค (2)
ผลิตภัณฑ์ที่เกี่ยวข้อง
พบผลิตภัณฑ์จำนวน3
กฎหมายและปัจจัยแวดล้อม
ประเทศต้นกำเนิด:
ประเทศสุดท้ายที่ดำเนินกระบวนการผลิตที่สำคัญประเทศต้นกำเนิด:Germany
ประเทศสุดท้ายที่ดำเนินกระบวนการผลิตที่สำคัญ
ประเทศสุดท้ายที่ดำเนินกระบวนการผลิตที่สำคัญประเทศต้นกำเนิด:Germany
ประเทศสุดท้ายที่ดำเนินกระบวนการผลิตที่สำคัญ
หมายเลขพิกัดอัตราภาษี:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
เป็นไปตามข้อกำหนด RoHS:ใช่
RoHS
การใช้สารพาทาเลตตามระเบียบ RoHS:จะแจ้งให้ทราบ
ดาวน์โหลดหนังสือรับรองมาตรฐานของผลิตภัณฑ์
หนังสือรับรองมาตรฐานของผลิตภัณฑ์
น้ำหนัก (กก.):.002