พิมพ์หน้า
SPD08P06PGBTMA1
Power MOSFET, P Channel, 60 V, 8.83 A, 0.3 ohm, TO-252 (DPAK), Surface Mount
ภาพใช้เพื่อวัตถุประสงค์เพื่อแสดงตัวอย่างเท่านั้น โปรดดูรายละเอียดของผลิตภัณฑ์
ผู้ผลิตINFINEON
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิตSPD08P06PGBTMA1
รหัสสินค้า2212864
เป็นที่รู้จักกันในชื่อSPD08P06P G, SP000450534
หมายเลขชิ้นส่วนของคุณ
เอกสารข้อมูลทางเทคนิค
42,659 ในสต็อก
อยากได้เพิ่มใช่ไหม
4376 จัดส่งใน 1-2 วันทำการ(สิงคโปร์ สต็อก)
38283 จัดส่งใน 3-4 วันทำการ(อังกฤษ สต็อก)
| จำนวน | ราคา (ราคาสินค้าไม่รวม vat) |
|---|---|
| 1+ | THB33.820 |
| 10+ | THB22.650 |
| 100+ | THB15.690 |
| 500+ | THB12.360 |
| 1000+ | THB11.360 |
| 5000+ | THB10.360 |
ราคาสำหรับสินค้า:Each
ขั้นต่ำ: 1
หลายรายการ: 1
THB33.82
บันทึกของรายการ
เพิ่มไปยังใบยืนยันคำสั่งซื้อ ใบแจ้งหนี้ และใบจัดส่งสินค้าสำหรับคำสั่งซื้อนี้เท่านั้น
ข้อมูลผลิตภัณฑ์
ผู้ผลิตINFINEON
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิตSPD08P06PGBTMA1
รหัสสินค้า2212864
เป็นที่รู้จักกันในชื่อSPD08P06P G, SP000450534
เอกสารข้อมูลทางเทคนิค
Channel TypeP Channel
Drain Source Voltage Vds60V
Continuous Drain Current Id8.83A
Drain Source On State Resistance0.3ohm
Transistor Case StyleTO-252 (DPAK)
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage6.2V
Gate Source Threshold Voltage Max3V
Power Dissipation42W
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max175°C
Product Range-
QualificationAEC-Q101
SVHCNo SVHC (21-Jan-2025)
ภาพรวมของผลิตภัณฑ์
The SPD08P06P G is an OptiMOS™ P-channel Power MOSFET consistently meets the highest quality and performance demands in key specifications for power system design such as ON-state resistance and figure of merit characteristics.
- Enhancement-mode
- Avalanche rated
- Small signal packages approved to AEC Q101
- dV/dt Rated
- Qualified according to AEC-Q101
- Green device
การใช้งาน
Power Management, Automotive, Consumer Electronics, Motor Drive & Control, Portable Devices, Communications & Networking
คำเตือน
Market demand for this product has caused an extension in leadtimes. Delivery dates may fluctuate. Product exempt from discounts.
ข้อมูลจำเพาะทางเทคนิค
Channel Type
P Channel
Continuous Drain Current Id
8.83A
Transistor Case Style
TO-252 (DPAK)
Rds(on) Test Voltage
6.2V
Power Dissipation
42W
Operating Temperature Max
175°C
Qualification
AEC-Q101
SVHC
No SVHC (21-Jan-2025)
Drain Source Voltage Vds
60V
Drain Source On State Resistance
0.3ohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Gate Source Threshold Voltage Max
3V
No. of Pins
3Pins
Product Range
-
MSL
MSL 1 - Unlimited
เอกสารทางเทคนิค (1)
กฎหมายและปัจจัยแวดล้อม
ประเทศต้นกำเนิด:
ประเทศสุดท้ายที่ดำเนินกระบวนการผลิตที่สำคัญประเทศต้นกำเนิด:Malaysia
ประเทศสุดท้ายที่ดำเนินกระบวนการผลิตที่สำคัญ
ประเทศสุดท้ายที่ดำเนินกระบวนการผลิตที่สำคัญประเทศต้นกำเนิด:Malaysia
ประเทศสุดท้ายที่ดำเนินกระบวนการผลิตที่สำคัญ
หมายเลขพิกัดอัตราภาษี:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
เป็นไปตามข้อกำหนด RoHS:ใช่
RoHS
การใช้สารพาทาเลตตามระเบียบ RoHS:ใช่
RoHS
SVHC:No SVHC (21-Jan-2025)
ดาวน์โหลดหนังสือรับรองมาตรฐานของผลิตภัณฑ์
หนังสือรับรองมาตรฐานของผลิตภัณฑ์
น้ำหนัก (กก.):.0003