พิมพ์หน้า
SPA20N60CFDXKSA1
Power MOSFET, N Channel, 600 V, 20.7 A, 0.22 ohm, TO-220F, Through Hole
ภาพใช้เพื่อวัตถุประสงค์เพื่อแสดงตัวอย่างเท่านั้น โปรดดูรายละเอียดของผลิตภัณฑ์
ผู้ผลิตINFINEON
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิตSPA20N60CFDXKSA1สำเนา
ระยะเวลานำส่งมาตรฐานของผู้ผลิต31 สัปดาห์
รหัสสินค้า1471775
เป็นที่รู้จักกันในชื่อSPA20N60CFD, SP000216361
หมายเลขชิ้นส่วนของคุณ
367 ในสต็อก
อยากได้เพิ่มใช่ไหม
367 จัดส่งใน 3-4 วันทำการ(อังกฤษ สต็อก)
| จำนวน | ราคา (ราคาสินค้าไม่รวม vat) |
|---|---|
| 1+ | THB196.930 |
| 10+ | THB128.950 |
| 100+ | THB94.970 |
| 500+ | THB80.310 |
| 1000+ | THB75.310 |
ราคาสำหรับสินค้า:Each
ขั้นต่ำ: 1
หลายรายการ: 1
THB196.93
บันทึกของรายการ
เพิ่มไปยังใบยืนยันคำสั่งซื้อ ใบแจ้งหนี้ และใบจัดส่งสินค้าสำหรับคำสั่งซื้อนี้เท่านั้น
ข้อมูลผลิตภัณฑ์
ผู้ผลิตINFINEON
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิตSPA20N60CFDXKSA1สำเนา
ระยะเวลานำส่งมาตรฐานของผู้ผลิต31 สัปดาห์
รหัสสินค้า1471775
เป็นที่รู้จักกันในชื่อSPA20N60CFD, SP000216361
เอกสารข้อมูลทางเทคนิค
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds600V
Continuous Drain Current Id20.7A
Drain Source On State Resistance0.22ohm
Transistor Case StyleTO-220F
Transistor MountingThrough Hole
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max4V
Power Dissipation35W
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max150°C
Product Range-
Qualification-
MSL-
SVHCNo SVHC (25-Jun-2025)
ภาพรวมของผลิตภัณฑ์
The SPA20N60CFD is a 600V CoolMOS™ N-channel Power MOSFET features ultra-low gate charge. It is suitable for server, telecom, PC Power, solar, phase-shift ZVS, DC-to-AC power and adapter applications.
- New revolutionary high voltage technology
- Extreme dV/dt rated
- Periodic avalanche rated
- Extremely low reverse recovery charge
- Qualified according to JEDEC for target applications
- High peak current capability
- Intrinsic fast-recovery body diode
การใช้งาน
Industrial, Power Management, Alternative Energy, Consumer Electronics, Communications & Networking
คำเตือน
Market demand for this product has caused an extension in leadtimes. Delivery dates may fluctuate. Product exempt from discounts.
ข้อมูลจำเพาะทางเทคนิค
Channel Type
N Channel
Continuous Drain Current Id
20.7A
Transistor Case Style
TO-220F
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation
35W
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
SVHC
No SVHC (25-Jun-2025)
Drain Source Voltage Vds
600V
Drain Source On State Resistance
0.22ohm
Transistor Mounting
Through Hole
Gate Source Threshold Voltage Max
4V
No. of Pins
3Pins
Product Range
-
MSL
-
เอกสารทางเทคนิค (3)
ผลิตภัณฑ์ที่เกี่ยวข้อง
พบผลิตภัณฑ์จำนวน3
กฎหมายและปัจจัยแวดล้อม
ประเทศต้นกำเนิด:
ประเทศสุดท้ายที่ดำเนินกระบวนการผลิตที่สำคัญประเทศต้นกำเนิด:South Korea
ประเทศสุดท้ายที่ดำเนินกระบวนการผลิตที่สำคัญ
ประเทศสุดท้ายที่ดำเนินกระบวนการผลิตที่สำคัญประเทศต้นกำเนิด:South Korea
ประเทศสุดท้ายที่ดำเนินกระบวนการผลิตที่สำคัญ
หมายเลขพิกัดอัตราภาษี:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
เป็นไปตามข้อกำหนด RoHS:ใช่
RoHS
การใช้สารพาทาเลตตามระเบียบ RoHS:ใช่
RoHS
SVHC:No SVHC (25-Jun-2025)
ดาวน์โหลดหนังสือรับรองมาตรฐานของผลิตภัณฑ์
หนังสือรับรองมาตรฐานของผลิตภัณฑ์
น้ำหนัก (กก.):.00381