พิมพ์หน้า
SPA06N80C3XKSA1
Power MOSFET, N Channel, 800 V, 6 A, 0.9 ohm, TO-220F, Through Hole
ภาพใช้เพื่อวัตถุประสงค์เพื่อแสดงตัวอย่างเท่านั้น โปรดดูรายละเอียดของผลิตภัณฑ์
ผู้ผลิตINFINEON
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิตSPA06N80C3XKSA1สำเนา
ระยะเวลานำส่งมาตรฐานของผู้ผลิต14 สัปดาห์
รหัสสินค้า1471766
เป็นที่รู้จักกันในชื่อSPA06N80C3, SP000216302
หมายเลขชิ้นส่วนของคุณ
141 ในสต็อก
อยากได้เพิ่มใช่ไหม
141 จัดส่งใน 3-4 วันทำการ(อังกฤษ สต็อก)
| จำนวน | ราคา (ราคาสินค้าไม่รวม vat) |
|---|---|
| 1+ | THB96.300 |
| 10+ | THB62.310 |
| 100+ | THB42.650 |
| 500+ | THB34.320 |
| 1000+ | THB30.990 |
| 5000+ | THB29.960 |
ราคาสำหรับสินค้า:Each
ขั้นต่ำ: 1
หลายรายการ: 1
THB96.30
บันทึกของรายการ
เพิ่มไปยังใบยืนยันคำสั่งซื้อ ใบแจ้งหนี้ และใบจัดส่งสินค้าสำหรับคำสั่งซื้อนี้เท่านั้น
ข้อมูลผลิตภัณฑ์
ผู้ผลิตINFINEON
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิตSPA06N80C3XKSA1สำเนา
ระยะเวลานำส่งมาตรฐานของผู้ผลิต14 สัปดาห์
รหัสสินค้า1471766
เป็นที่รู้จักกันในชื่อSPA06N80C3, SP000216302
เอกสารข้อมูลทางเทคนิค
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds800V
Continuous Drain Current Id6A
Drain Source On State Resistance0.9ohm
Transistor Case StyleTO-220F
Transistor MountingThrough Hole
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max3V
Power Dissipation39W
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max150°C
Product Range-
Qualification-
MSL-
SVHCNo SVHC (25-Jun-2025)
ภาพรวมของผลิตภัณฑ์
The SPA06N80C3 is a 800V CoolMOS™ N-channel Power MOSFET features ultra-low gate charge. It is suitable for solar, PC Power and adapter applications.
- New revolutionary high voltage technology
- Extreme dV/dt rated
- High peak current capability
- Qualified according to JEDEC for target applications
- Ultra low effective capacitance
- Fully isolated package
- Low specific ON-state resistance
- Field proven CoolMOS™ quality
- Very low energy storage in output capacitance (Eoss)@400V
- High efficiency and power density
- Outstanding performance
- High reliability
- Ease of use
การใช้งาน
Industrial, Power Management, Alternative Energy, Consumer Electronics
คำเตือน
Market demand for this product has caused an extension in leadtimes. Delivery dates may fluctuate. Product exempt from discounts.
ข้อมูลจำเพาะทางเทคนิค
Channel Type
N Channel
Continuous Drain Current Id
6A
Transistor Case Style
TO-220F
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation
39W
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
SVHC
No SVHC (25-Jun-2025)
Drain Source Voltage Vds
800V
Drain Source On State Resistance
0.9ohm
Transistor Mounting
Through Hole
Gate Source Threshold Voltage Max
3V
No. of Pins
3Pins
Product Range
-
MSL
-
เอกสารทางเทคนิค (3)
ผลิตภัณฑ์ที่เกี่ยวข้อง
พบผลิตภัณฑ์จำนวน3
กฎหมายและปัจจัยแวดล้อม
ประเทศต้นกำเนิด:
ประเทศสุดท้ายที่ดำเนินกระบวนการผลิตที่สำคัญประเทศต้นกำเนิด:South Korea
ประเทศสุดท้ายที่ดำเนินกระบวนการผลิตที่สำคัญ
ประเทศสุดท้ายที่ดำเนินกระบวนการผลิตที่สำคัญประเทศต้นกำเนิด:South Korea
ประเทศสุดท้ายที่ดำเนินกระบวนการผลิตที่สำคัญ
หมายเลขพิกัดอัตราภาษี:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
เป็นไปตามข้อกำหนด RoHS:ใช่
RoHS
การใช้สารพาทาเลตตามระเบียบ RoHS:ใช่
RoHS
SVHC:No SVHC (25-Jun-2025)
ดาวน์โหลดหนังสือรับรองมาตรฐานของผลิตภัณฑ์
หนังสือรับรองมาตรฐานของผลิตภัณฑ์
น้ำหนัก (กก.):.0018