พิมพ์หน้า
S29GL128S10DHIV10
Flash Memory, Parallel NOR, 128 Mbit, 8M x 16bit, Parallel, FBGA, 64 Pins
ภาพใช้เพื่อวัตถุประสงค์เพื่อแสดงตัวอย่างเท่านั้น โปรดดูรายละเอียดของผลิตภัณฑ์
ผู้ผลิตINFINEON
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิตS29GL128S10DHIV10สำเนา
ระยะเวลานำส่งมาตรฐานของผู้ผลิต25 สัปดาห์
รหัสสินค้า4332201
Product Range3V Parallel NOR Flash Memories
หมายเลขชิ้นส่วนของคุณ
1,238 ในสต็อก
อยากได้เพิ่มใช่ไหม
1,238 จัดส่งใน 3-4 วันทำการ(อังกฤษ สต็อก)
| จำนวน | ราคา (ราคาสินค้าไม่รวม vat) |
|---|---|
| 1+ | THB248.040 |
| 10+ | THB232.550 |
| 25+ | THB226.290 |
| 50+ | THB221.360 |
| 100+ | THB216.080 |
| 250+ | THB211.800 |
| 500+ | THB209.900 |
ราคาสำหรับสินค้า:Each
ขั้นต่ำ: 1
หลายรายการ: 1
THB248.04
บันทึกของรายการ
เพิ่มไปยังใบยืนยันคำสั่งซื้อ ใบแจ้งหนี้ และใบจัดส่งสินค้าสำหรับคำสั่งซื้อนี้เท่านั้น
ข้อมูลผลิตภัณฑ์
ผู้ผลิตINFINEON
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิตS29GL128S10DHIV10สำเนา
ระยะเวลานำส่งมาตรฐานของผู้ผลิต25 สัปดาห์
รหัสสินค้า4332201
Product Range3V Parallel NOR Flash Memories
เอกสารข้อมูลทางเทคนิค
Flash Memory TypeParallel NOR
Memory Density128Mbit
Memory Configuration8M x 16bit
InterfacesParallel
IC Case / PackageFBGA
No. of Pins64Pins
Clock Frequency Max-
Access Time100ns
Supply Voltage Min2.7V
Supply Voltage Max3.6V
Supply Voltage Nom3V
IC MountingSurface Mount
Operating Temperature Min-40°C
Operating Temperature Max85°C
Product Range3V Parallel NOR Flash Memories
SVHCNo SVHC (25-Jun-2025)
ภาพรวมของผลิตภัณฑ์
S29GL128S10DHIV10 is a MIRRORBIT™ Eclipse flash product fabricated on 65nm process technology. This device offers a fast page access time as fast as 15ns with a corresponding random access time as fast as 90ns. This features a Write Buffer that allows a maximum of 256 words/512 bytes to be programmed in one operation, resulting in faster effective programming time than standard programming algorithms. This makes this device ideal for today’s embedded applications that require higher density, better performance, and lower power consumption.
- 100ns random access time
- CMOS 3.0V core with versatile I/O, 65nm MIRRORBIT™ Eclipse technology
- Single supply (VCC) for read / program / erase (2.7 V to 3.6 V)
- ×16 data bus, asynchronous 32-byte page read
- Programming in page multiples, up to a maximum of 512 bytes
- Automatic error checking and correction – internal hardware ECC with single bit error correction
- Suspend and resume commands for program and erase operations
- Status register, data polling, and ready/busy pin methods to determine device status
- Volatile and non-volatile protection methods for each sector
- Fortified ball-grid array package (LAE064), industrial temperature range from -40°C to +85°C
ข้อมูลจำเพาะทางเทคนิค
Flash Memory Type
Parallel NOR
Memory Configuration
8M x 16bit
IC Case / Package
FBGA
Clock Frequency Max
-
Supply Voltage Min
2.7V
Supply Voltage Nom
3V
Operating Temperature Min
-40°C
Product Range
3V Parallel NOR Flash Memories
Memory Density
128Mbit
Interfaces
Parallel
No. of Pins
64Pins
Access Time
100ns
Supply Voltage Max
3.6V
IC Mounting
Surface Mount
Operating Temperature Max
85°C
SVHC
No SVHC (25-Jun-2025)
เอกสารทางเทคนิค (1)
กฎหมายและปัจจัยแวดล้อม
ประเทศต้นกำเนิด:
ประเทศสุดท้ายที่ดำเนินกระบวนการผลิตที่สำคัญประเทศต้นกำเนิด:United States
ประเทศสุดท้ายที่ดำเนินกระบวนการผลิตที่สำคัญ
ประเทศสุดท้ายที่ดำเนินกระบวนการผลิตที่สำคัญประเทศต้นกำเนิด:United States
ประเทศสุดท้ายที่ดำเนินกระบวนการผลิตที่สำคัญ
หมายเลขพิกัดอัตราภาษี:85423290
US ECCN:3A991.b.1.a
EU ECCN:NLR
เป็นไปตามข้อกำหนด RoHS:ใช่
RoHS
การใช้สารพาทาเลตตามระเบียบ RoHS:ใช่
RoHS
SVHC:No SVHC (25-Jun-2025)
ดาวน์โหลดหนังสือรับรองมาตรฐานของผลิตภัณฑ์
หนังสือรับรองมาตรฐานของผลิตภัณฑ์
น้ำหนัก (กก.):.000001