พิมพ์หน้า
S29GL01GT10FHI010
Flash Memory, MirrorBit Eclipse Architecture, Parallel NOR, 1 Gbit, 128M x 8bit, CFI, Parallel
ภาพใช้เพื่อวัตถุประสงค์เพื่อแสดงตัวอย่างเท่านั้น โปรดดูรายละเอียดของผลิตภัณฑ์
ผู้ผลิตINFINEON
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิตS29GL01GT10FHI010สำเนา
ระยะเวลานำส่งมาตรฐานของผู้ผลิต18 สัปดาห์
รหัสสินค้า2768058
Product Range3V Parallel NOR Flash Memories
เป็นที่รู้จักกันในชื่อSP005664081, S29GL01GT10FHI010
หมายเลขชิ้นส่วนของคุณ
989 ในสต็อก
อยากได้เพิ่มใช่ไหม
989 จัดส่งใน 3-4 วันทำการ(อังกฤษ สต็อก)
| จำนวน | ราคา (ราคาสินค้าไม่รวม vat) |
|---|---|
| 1+ | THB623.690 |
| 10+ | THB581.030 |
| 25+ | THB563.560 |
| 50+ | THB527.280 |
| 100+ | THB508.470 |
ราคาสำหรับสินค้า:Each
ขั้นต่ำ: 1
หลายรายการ: 1
THB623.69
บันทึกของรายการ
เพิ่มไปยังใบยืนยันคำสั่งซื้อ ใบแจ้งหนี้ และใบจัดส่งสินค้าสำหรับคำสั่งซื้อนี้เท่านั้น
ข้อมูลผลิตภัณฑ์
ผู้ผลิตINFINEON
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิตS29GL01GT10FHI010สำเนา
ระยะเวลานำส่งมาตรฐานของผู้ผลิต18 สัปดาห์
รหัสสินค้า2768058
Product Range3V Parallel NOR Flash Memories
เป็นที่รู้จักกันในชื่อSP005664081, S29GL01GT10FHI010
เอกสารข้อมูลทางเทคนิค
Flash Memory TypeParallel NOR
Memory Density1Gbit
Memory Configuration128M x 8bit
InterfacesCFI, Parallel
IC Case / PackageFBGA
No. of Pins64Pins
Clock Frequency Max-
Access Time100ns
Supply Voltage Min2.7V
Supply Voltage Max3.6V
Supply Voltage Nom3V
IC MountingSurface Mount
Operating Temperature Min-40°C
Operating Temperature Max85°C
Product Range3V Parallel NOR Flash Memories
SVHCNo SVHC (25-Jun-2025)
ภาพรวมของผลิตภัณฑ์
S29GL01GT10FHI010 is a 128M x 8bit, 1Gbit, MIRRORBIT™ Eclipse parallel NOR flash product fabricated on 45nm process technology. Device is ideal for embedded applications that require higher density, better performance and lower power consumption.
- VIO=VCC=2.7- 3.6V(high address sector protected), 100ns random access time
- CFI parallel interface
- Asynchronous 32-byte page read
- 512-byte programming buffer, programming in page multiples, up to a maximum of 512 bytes
- Single word and multiple program on same word options
- Automatic error checking and correction (ECC) - internal hardware ECC w/ single bit error correction
- Suspend and resume commands for program and erase operations
- Status register, data polling, and ready/busy pin methods to determine device status
- 100,000 program/erase cycles, 20yrs data retention, separate 2048byte OTP array w/ 4 lockable region
- Fortified ball-grid array package (LAA064) 13 x 11mm, industrial temperature range from -40 to 85°C
ข้อมูลจำเพาะทางเทคนิค
Flash Memory Type
Parallel NOR
Memory Configuration
128M x 8bit
IC Case / Package
FBGA
Clock Frequency Max
-
Supply Voltage Min
2.7V
Supply Voltage Nom
3V
Operating Temperature Min
-40°C
Product Range
3V Parallel NOR Flash Memories
SVHC
No SVHC (25-Jun-2025)
Memory Density
1Gbit
Interfaces
CFI, Parallel
No. of Pins
64Pins
Access Time
100ns
Supply Voltage Max
3.6V
IC Mounting
Surface Mount
Operating Temperature Max
85°C
MSL
MSL 3 - 168 hours
เอกสารทางเทคนิค (1)
กฎหมายและปัจจัยแวดล้อม
ประเทศต้นกำเนิด:
ประเทศสุดท้ายที่ดำเนินกระบวนการผลิตที่สำคัญประเทศต้นกำเนิด:Thailand
ประเทศสุดท้ายที่ดำเนินกระบวนการผลิตที่สำคัญ
ประเทศสุดท้ายที่ดำเนินกระบวนการผลิตที่สำคัญประเทศต้นกำเนิด:Thailand
ประเทศสุดท้ายที่ดำเนินกระบวนการผลิตที่สำคัญ
หมายเลขพิกัดอัตราภาษี:85423269
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
เป็นไปตามข้อกำหนด RoHS:ใช่
RoHS
การใช้สารพาทาเลตตามระเบียบ RoHS:ใช่
RoHS
SVHC:No SVHC (25-Jun-2025)
ดาวน์โหลดหนังสือรับรองมาตรฐานของผลิตภัณฑ์
หนังสือรับรองมาตรฐานของผลิตภัณฑ์
น้ำหนัก (กก.):.009215