พิมพ์หน้า
ISG0613N04NM6HSCATMA1
Dual MOSFET, Dual N Channel, 40 V, 299 A, 880 µohm
ภาพใช้เพื่อวัตถุประสงค์เพื่อแสดงตัวอย่างเท่านั้น โปรดดูรายละเอียดของผลิตภัณฑ์
ผู้ผลิตINFINEON
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิตISG0613N04NM6HSCATMA1สำเนา
ระยะเวลานำส่งมาตรฐานของผู้ผลิต52 สัปดาห์
รหัสสินค้า
ม้วนตัดแบ่ง4486608RL
เทปตัด4486608
Product RangeOptiMOS 6 Series
เป็นที่รู้จักกันในชื่อISG0613N04NM6HSC, SP005575174
หมายเลขชิ้นส่วนของคุณ
พร้อมให้สั่งซื้อ
แจ้งเตือนฉันเมื่อมีสินค้าในสต็อก
ตัวเลือกบรรจุภัณฑ์
| ประเภทบรรจุภัณฑ์ | จำนวน | ราคาต่อหน่วย: | ทั้งหมด |
|---|---|---|---|
| เทปตัด | 5 | THB93.630 | THB468.15 |
| ทั้งหมด ราคา (ราคาสินค้าไม่รวม vat) | THB468.15 | ||
เทปตัด & ม้วนตัดแบ่ง
| จำนวน | ราคา (ราคาสินค้าไม่รวม vat) |
|---|---|
| 5+ | THB93.630 |
| 50+ | THB89.470 |
| 100+ | THB85.300 |
| 500+ | THB75.970 |
| 1500+ | THB74.460 |
บันทึกของรายการ
เพิ่มไปยังใบยืนยันคำสั่งซื้อ ใบแจ้งหนี้ และใบจัดส่งสินค้าสำหรับคำสั่งซื้อนี้เท่านั้น
ข้อมูลผลิตภัณฑ์
ผู้ผลิตINFINEON
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิตISG0613N04NM6HSCATMA1สำเนา
ระยะเวลานำส่งมาตรฐานของผู้ผลิต52 สัปดาห์
รหัสสินค้า
ม้วนตัดแบ่ง4486608RL
เทปตัด4486608
Product RangeOptiMOS 6 Series
เป็นที่รู้จักกันในชื่อISG0613N04NM6HSC, SP005575174
เอกสารข้อมูลทางเทคนิค
Channel TypeDual N Channel
Drain Source Voltage Vds N Channel40V
Drain Source Voltage Vds P Channel-
Continuous Drain Current Id N Channel299A
Continuous Drain Current Id P Channel-
Drain Source On State Resistance N Channel880µohm
Drain Source On State Resistance P Channel-
Transistor Case StyleWHITFN-U01
No. of Pins10Pins
Power Dissipation N Channel167W
Power Dissipation P Channel-
Operating Temperature Max175°C
Product RangeOptiMOS 6 Series
Qualification-
SVHCNo SVHC (25-Jun-2025)
ข้อมูลจำเพาะทางเทคนิค
Channel Type
Dual N Channel
Drain Source Voltage Vds P Channel
-
Continuous Drain Current Id P Channel
-
Drain Source On State Resistance P Channel
-
No. of Pins
10Pins
Power Dissipation P Channel
-
Product Range
OptiMOS 6 Series
SVHC
No SVHC (25-Jun-2025)
Drain Source Voltage Vds N Channel
40V
Continuous Drain Current Id N Channel
299A
Drain Source On State Resistance N Channel
880µohm
Transistor Case Style
WHITFN-U01
Power Dissipation N Channel
167W
Operating Temperature Max
175°C
Qualification
-
เอกสารทางเทคนิค (1)
กฎหมายและปัจจัยแวดล้อม
หมายเลขพิกัดอัตราภาษี:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
เป็นไปตามข้อกำหนด RoHS:ใช่
RoHS
การใช้สารพาทาเลตตามระเบียบ RoHS:ใช่
RoHS
SVHC:No SVHC (25-Jun-2025)
ดาวน์โหลดหนังสือรับรองมาตรฐานของผลิตภัณฑ์
หนังสือรับรองมาตรฐานของผลิตภัณฑ์
น้ำหนัก (กก.):.000017