IRLMS2002TRPBF
Power MOSFET, N Channel, 20 V, 6.5 A, 0.03 ohm, SOT-23, Surface Mount
อยากได้เพิ่มใช่ไหม
| ประเภทบรรจุภัณฑ์ | จำนวน | ราคาต่อหน่วย: | ทั้งหมด |
|---|---|---|---|
| เทปตัด | 5 | THB16.800 | THB84.00 |
| ทั้งหมด ราคา (ราคาสินค้าไม่รวม vat) | THB84.00 | ||
| จำนวน | ราคา (ราคาสินค้าไม่รวม vat) |
|---|---|
| 5+ | THB16.800 |
| 10+ | THB10.860 |
| 100+ | THB8.080 |
| 500+ | THB7.910 |
| 1000+ | THB6.990 |
| 5000+ | THB6.120 |
| จำนวน | ราคา (ราคาสินค้าไม่รวม vat) |
|---|---|
| 3000+ | THB6.870 |
| 9000+ | THB6.180 |
ข้อมูลผลิตภัณฑ์
ตัวเลือกสำหรับ IRLMS2002TRPBF
พบผลิตภัณฑ์จำนวน2
ภาพรวมของผลิตภัณฑ์
The IRLMS2002TRPBF is a HEXFET® N-channel Power MOSFET utilizes advanced processing techniques to achieve the extremely low ON-resistance per silicon area. This benefit provides the designer with an extremely efficient device for use in battery and load management applications. The Micro6™ package with its customized lead-frame produces a HEXFET® power MOSFET. This package is ideal for applications where printed circuit board space is at a premium. It's unique thermal design and RDS (ON) reduction enables a current-handling increase of nearly 300%.
- Ultra-low ON-resistance
การใช้งาน
Power Management
คำเตือน
Market demand for this product has caused an extension in leadtimes. Delivery dates may fluctuate. Product exempt from discounts.
ข้อมูลจำเพาะทางเทคนิค
N Channel
6.5A
SOT-23
4.5V
2W
150°C
-
No SVHC (21-Jan-2025)
20V
0.03ohm
Surface Mount
1.2V
6Pins
HEXFET
MSL 1 - Unlimited
เอกสารทางเทคนิค (2)
ผลิตภัณฑ์ที่เกี่ยวข้อง
พบผลิตภัณฑ์จำนวน1
กฎหมายและปัจจัยแวดล้อม
ประเทศสุดท้ายที่ดำเนินกระบวนการผลิตที่สำคัญประเทศต้นกำเนิด:Thailand
ประเทศสุดท้ายที่ดำเนินกระบวนการผลิตที่สำคัญ
RoHS
RoHS
หนังสือรับรองมาตรฐานของผลิตภัณฑ์