พิมพ์หน้า
IRLMS2002PBF
Power MOSFET, N Channel, 20 V, 6.5 A, 0.03 ohm, µSOIC, Surface Mount
ภาพใช้เพื่อวัตถุประสงค์เพื่อแสดงตัวอย่างเท่านั้น โปรดดูรายละเอียดของผลิตภัณฑ์
ผู้ผลิตINFINEON
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิตIRLMS2002PBFสำเนา
รหัสสินค้า
ม้วนตัดแบ่ง9102590RL
เทปตัด9102590
เป็นที่รู้จักกันในชื่อSP001567202
หมายเลขชิ้นส่วนของคุณ
ไม่ได้ผลิตแล้ว
ตัวเลือกบรรจุภัณฑ์
ข้อมูลผลิตภัณฑ์
ผู้ผลิตINFINEON
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิตIRLMS2002PBFสำเนา
รหัสสินค้า
ม้วนตัดแบ่ง9102590RL
เทปตัด9102590
เป็นที่รู้จักกันในชื่อSP001567202
เอกสารข้อมูลทางเทคนิค
Channel TypeN Channel
Transistor Case StyleµSOIC
Transistor MountingSurface Mount
Product Range-
Qualification-
ตัวเลือกสำหรับ IRLMS2002PBF
พบผลิตภัณฑ์จำนวน2
ภาพรวมของผลิตภัณฑ์
The IRLMS2002PBF is a HEXFET® N-channel Power MOSFET utilizes advanced processing techniques to achieve the extremely low ON-resistance per silicon area. This benefit provides the designer with an extremely efficient device for use in battery and load management applications. The Micro6™ package with its customized lead-frame produces a HEXFET® power MOSFET. This package is ideal for applications where printed circuit board space is at a premium. It's unique thermal design and RDS (ON) reduction enables a current-handling increase of nearly 300%.
- Ultra-low ON-resistance
การใช้งาน
Power Management
ข้อมูลจำเพาะทางเทคนิค
Channel Type
N Channel
Transistor Mounting
Surface Mount
Qualification
-
Transistor Case Style
µSOIC
Product Range
-
เอกสารทางเทคนิค (1)
ผลิตภัณฑ์ที่เกี่ยวข้อง
พบผลิตภัณฑ์จำนวน2
กฎหมายและปัจจัยแวดล้อม
ประเทศต้นกำเนิด:
ประเทศสุดท้ายที่ดำเนินกระบวนการผลิตที่สำคัญประเทศต้นกำเนิด:Malaysia
ประเทศสุดท้ายที่ดำเนินกระบวนการผลิตที่สำคัญ
ประเทศสุดท้ายที่ดำเนินกระบวนการผลิตที่สำคัญประเทศต้นกำเนิด:Malaysia
ประเทศสุดท้ายที่ดำเนินกระบวนการผลิตที่สำคัญ
หมายเลขพิกัดอัตราภาษี:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
เป็นไปตามข้อกำหนด RoHS:ใช่
RoHS
การใช้สารพาทาเลตตามระเบียบ RoHS:จะแจ้งให้ทราบ
ดาวน์โหลดหนังสือรับรองมาตรฐานของผลิตภัณฑ์
หนังสือรับรองมาตรฐานของผลิตภัณฑ์
น้ำหนัก (กก.):.003175