พิมพ์หน้า
IRLHS6276TRPBF
Dual MOSFET, N Channel, 20 V, 20 V, 3.4 A, 3.4 A, 0.033 ohm
ภาพใช้เพื่อวัตถุประสงค์เพื่อแสดงตัวอย่างเท่านั้น โปรดดูรายละเอียดของผลิตภัณฑ์
ผู้ผลิตINFINEON
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิตIRLHS6276TRPBFสำเนา
ระยะเวลานำส่งมาตรฐานของผู้ผลิต19 สัปดาห์
รหัสสินค้า
ม้วนตัดแบ่ง2726004RL
เทปตัด2726004
Product RangeHEXFET Series
เป็นที่รู้จักกันในชื่อSP001552670
หมายเลขชิ้นส่วนของคุณ
2,482 ในสต็อก
อยากได้เพิ่มใช่ไหม
2,482 จัดส่งใน 3-4 วันทำการ(อังกฤษ สต็อก)
ตัวเลือกบรรจุภัณฑ์
| ประเภทบรรจุภัณฑ์ | จำนวน | ราคาต่อหน่วย: | ทั้งหมด |
|---|---|---|---|
| เทปตัด | 1 | THB31.850 | THB31.85 |
| ทั้งหมด ราคา (ราคาสินค้าไม่รวม vat) | THB31.85 | ||
เทปตัด & ม้วนตัดแบ่ง
| จำนวน | ราคา (ราคาสินค้าไม่รวม vat) |
|---|---|
| 1+ | THB31.850 |
| 10+ | THB14.610 |
| 100+ | THB12.910 |
| 500+ | THB9.880 |
| 1000+ | THB8.760 |
| 5000+ | THB7.600 |
บันทึกของรายการ
เพิ่มไปยังใบยืนยันคำสั่งซื้อ ใบแจ้งหนี้ และใบจัดส่งสินค้าสำหรับคำสั่งซื้อนี้เท่านั้น
ข้อมูลผลิตภัณฑ์
ผู้ผลิตINFINEON
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิตIRLHS6276TRPBFสำเนา
ระยะเวลานำส่งมาตรฐานของผู้ผลิต19 สัปดาห์
รหัสสินค้า
ม้วนตัดแบ่ง2726004RL
เทปตัด2726004
Product RangeHEXFET Series
เป็นที่รู้จักกันในชื่อSP001552670
เอกสารข้อมูลทางเทคนิค
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds N Channel20V
Drain Source Voltage Vds P Channel20V
Continuous Drain Current Id N Channel3.4A
Continuous Drain Current Id P Channel3.4A
Drain Source On State Resistance N Channel0.033ohm
Drain Source On State Resistance P Channel0.033ohm
Transistor Case StyleDFN2020
No. of Pins6Pins
Power Dissipation N Channel6.6W
Power Dissipation P Channel6.6W
Operating Temperature Max150°C
Product RangeHEXFET Series
Qualification-
SVHCNo SVHC (25-Jun-2025)
ข้อมูลจำเพาะทางเทคนิค
Channel Type
N Channel
Drain Source Voltage Vds P Channel
20V
Continuous Drain Current Id P Channel
3.4A
Drain Source On State Resistance P Channel
0.033ohm
No. of Pins
6Pins
Power Dissipation P Channel
6.6W
Product Range
HEXFET Series
MSL
MSL 1 - Unlimited
Drain Source Voltage Vds N Channel
20V
Continuous Drain Current Id N Channel
3.4A
Drain Source On State Resistance N Channel
0.033ohm
Transistor Case Style
DFN2020
Power Dissipation N Channel
6.6W
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
SVHC
No SVHC (25-Jun-2025)
เอกสารทางเทคนิค (1)
กฎหมายและปัจจัยแวดล้อม
ประเทศต้นกำเนิด:
ประเทศสุดท้ายที่ดำเนินกระบวนการผลิตที่สำคัญประเทศต้นกำเนิด:Thailand
ประเทศสุดท้ายที่ดำเนินกระบวนการผลิตที่สำคัญ
ประเทศสุดท้ายที่ดำเนินกระบวนการผลิตที่สำคัญประเทศต้นกำเนิด:Thailand
ประเทศสุดท้ายที่ดำเนินกระบวนการผลิตที่สำคัญ
หมายเลขพิกัดอัตราภาษี:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
เป็นไปตามข้อกำหนด RoHS:ใช่
RoHS
การใช้สารพาทาเลตตามระเบียบ RoHS:ใช่
RoHS
SVHC:No SVHC (25-Jun-2025)
ดาวน์โหลดหนังสือรับรองมาตรฐานของผลิตภัณฑ์
หนังสือรับรองมาตรฐานของผลิตภัณฑ์
น้ำหนัก (กก.):.000076