พิมพ์หน้า
IRLB4030PBF
Power MOSFET, N Channel, 100 V, 110 A, 4300 µohm, TO-220AB, Through Hole
ภาพใช้เพื่อวัตถุประสงค์เพื่อแสดงตัวอย่างเท่านั้น โปรดดูรายละเอียดของผลิตภัณฑ์
ผู้ผลิตINFINEON
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิตIRLB4030PBFสำเนา
ระยะเวลานำส่งมาตรฐานของผู้ผลิต20 สัปดาห์
รหัสสินค้า1698301
เป็นที่รู้จักกันในชื่อSP001552594
หมายเลขชิ้นส่วนของคุณ
1,643 ในสต็อก
1,000 คุณสามารถจองสินค้าได้ทันที
1,643 จัดส่งใน 3-4 วันทำการ(อังกฤษ สต็อก)
| จำนวน | ราคา (ราคาสินค้าไม่รวม vat) |
|---|---|
| 1+ | THB187.140 |
| 10+ | THB122.570 |
| 100+ | THB91.600 |
| 500+ | THB77.430 |
| 1000+ | THB67.220 |
ราคาสำหรับสินค้า:Each
ขั้นต่ำ: 1
หลายรายการ: 1
THB187.14
บันทึกของรายการ
เพิ่มไปยังใบยืนยันคำสั่งซื้อ ใบแจ้งหนี้ และใบจัดส่งสินค้าสำหรับคำสั่งซื้อนี้เท่านั้น
ข้อมูลผลิตภัณฑ์
ผู้ผลิตINFINEON
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิตIRLB4030PBFสำเนา
ระยะเวลานำส่งมาตรฐานของผู้ผลิต20 สัปดาห์
รหัสสินค้า1698301
เป็นที่รู้จักกันในชื่อSP001552594
เอกสารข้อมูลทางเทคนิค
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds100V
Continuous Drain Current Id110A
Drain Source On State Resistance4300µohm
Transistor Case StyleTO-220AB
Transistor MountingThrough Hole
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max2.5V
Power Dissipation370W
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max175°C
Product Range-
Qualification-
MSL-
SVHCNo SVHC (25-Jun-2025)
ภาพรวมของผลิตภัณฑ์
The IRLB4030PBF is a 100V single N-channel HEXFET® Power MOSFET with extremely low on-resistance per silicon area and fast switching performance using Trench MOSFET technology. Suitable for DC motor drive, high efficiency synchronous rectification in SMPS, uninterruptible power supply, high speed power switching, hard switched and high frequency circuits.
- Optimized for logic level drive
- Very low RDS (ON) at 4.5V VGS
- Superior R*Q at 4.5V VGS
- Improved gate, avalanche and dynamic dv/dt ruggedness
- Fully characterized capacitance and avalanche SOA
- Enhanced body diode dV/dt and dI/dt capability
การใช้งาน
Power Management, Motor Drive & Control
ข้อมูลจำเพาะทางเทคนิค
Channel Type
N Channel
Continuous Drain Current Id
110A
Transistor Case Style
TO-220AB
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation
370W
Operating Temperature Max
175°C
Qualification
-
SVHC
No SVHC (25-Jun-2025)
Drain Source Voltage Vds
100V
Drain Source On State Resistance
4300µohm
Transistor Mounting
Through Hole
Gate Source Threshold Voltage Max
2.5V
No. of Pins
3Pins
Product Range
-
MSL
-
เอกสารทางเทคนิค (1)
ตัวเลือกสำหรับ IRLB4030PBF
พบผลิตภัณฑ์จำนวน3
กฎหมายและปัจจัยแวดล้อม
ประเทศต้นกำเนิด:
ประเทศสุดท้ายที่ดำเนินกระบวนการผลิตที่สำคัญประเทศต้นกำเนิด:Mexico
ประเทศสุดท้ายที่ดำเนินกระบวนการผลิตที่สำคัญ
ประเทศสุดท้ายที่ดำเนินกระบวนการผลิตที่สำคัญประเทศต้นกำเนิด:Mexico
ประเทศสุดท้ายที่ดำเนินกระบวนการผลิตที่สำคัญ
หมายเลขพิกัดอัตราภาษี:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
เป็นไปตามข้อกำหนด RoHS:ใช่
RoHS
การใช้สารพาทาเลตตามระเบียบ RoHS:ใช่
RoHS
SVHC:No SVHC (25-Jun-2025)
ดาวน์โหลดหนังสือรับรองมาตรฐานของผลิตภัณฑ์
หนังสือรับรองมาตรฐานของผลิตภัณฑ์
น้ำหนัก (กก.):.002