พิมพ์หน้า
IRLB3813PBF
Power MOSFET, N Channel, 30 V, 260 A, 1950 µohm, TO-220AB, Through Hole
ภาพใช้เพื่อวัตถุประสงค์เพื่อแสดงตัวอย่างเท่านั้น โปรดดูรายละเอียดของผลิตภัณฑ์
ผู้ผลิตINFINEON
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิตIRLB3813PBFสำเนา
ระยะเวลานำส่งมาตรฐานของผู้ผลิต19 สัปดาห์
รหัสสินค้า1740786
เป็นที่รู้จักกันในชื่อSP001558110
หมายเลขชิ้นส่วนของคุณ
2,112 ในสต็อก
1,000 คุณสามารถจองสินค้าได้ทันที
2,112 จัดส่งใน 3-4 วันทำการ(อังกฤษ สต็อก)
| จำนวน | ราคา (ราคาสินค้าไม่รวม vat) |
|---|---|
| 1+ | THB95.510 |
| 10+ | THB47.250 |
| 100+ | THB40.110 |
| 500+ | THB33.190 |
| 1000+ | THB30.700 |
| 5000+ | THB30.080 |
ราคาสำหรับสินค้า:Each
ขั้นต่ำ: 1
หลายรายการ: 1
THB95.51
บันทึกของรายการ
เพิ่มไปยังใบยืนยันคำสั่งซื้อ ใบแจ้งหนี้ และใบจัดส่งสินค้าสำหรับคำสั่งซื้อนี้เท่านั้น
ข้อมูลผลิตภัณฑ์
ผู้ผลิตINFINEON
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิตIRLB3813PBFสำเนา
ระยะเวลานำส่งมาตรฐานของผู้ผลิต19 สัปดาห์
รหัสสินค้า1740786
เป็นที่รู้จักกันในชื่อSP001558110
เอกสารข้อมูลทางเทคนิค
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds30V
Continuous Drain Current Id260A
Drain Source On State Resistance1950µohm
Transistor Case StyleTO-220AB
Transistor MountingThrough Hole
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max1.9V
Power Dissipation230W
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max175°C
Product Range-
Qualification-
MSL-
SVHCNo SVHC (04-Feb-2026)
ภาพรวมของผลิตภัณฑ์
The IRLB3813PBF is a HEXFET® N-channel Power MOSFET offers fully characterized avalanche voltage and current. It is optimized for UPS/inverter applications. It is suitable for high frequency isolated DC-to-DC converters with synchronous rectification for telecom use.
- Ultra-low gate impedance
- Very low RDS (ON) at 4.5V VGS
การใช้งาน
Power Management, Communications & Networking, Industrial
ข้อมูลจำเพาะทางเทคนิค
Channel Type
N Channel
Continuous Drain Current Id
260A
Transistor Case Style
TO-220AB
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation
230W
Operating Temperature Max
175°C
Qualification
-
SVHC
No SVHC (04-Feb-2026)
Drain Source Voltage Vds
30V
Drain Source On State Resistance
1950µohm
Transistor Mounting
Through Hole
Gate Source Threshold Voltage Max
1.9V
No. of Pins
3Pins
Product Range
-
MSL
-
เอกสารทางเทคนิค (3)
ตัวเลือกสำหรับ IRLB3813PBF
พบผลิตภัณฑ์จำนวน1
กฎหมายและปัจจัยแวดล้อม
ประเทศต้นกำเนิด:
ประเทศสุดท้ายที่ดำเนินกระบวนการผลิตที่สำคัญประเทศต้นกำเนิด:China
ประเทศสุดท้ายที่ดำเนินกระบวนการผลิตที่สำคัญ
ประเทศสุดท้ายที่ดำเนินกระบวนการผลิตที่สำคัญประเทศต้นกำเนิด:China
ประเทศสุดท้ายที่ดำเนินกระบวนการผลิตที่สำคัญ
หมายเลขพิกัดอัตราภาษี:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
เป็นไปตามข้อกำหนด RoHS:ใช่
RoHS
การใช้สารพาทาเลตตามระเบียบ RoHS:ใช่
RoHS
SVHC:No SVHC (04-Feb-2026)
ดาวน์โหลดหนังสือรับรองมาตรฐานของผลิตภัณฑ์
หนังสือรับรองมาตรฐานของผลิตภัณฑ์
น้ำหนัก (กก.):.002