พิมพ์หน้า
IRFZ44NPBF
MOSFET, N, 55V, 41A, TO-220
ภาพใช้เพื่อวัตถุประสงค์เพื่อแสดงตัวอย่างเท่านั้น โปรดดูรายละเอียดของผลิตภัณฑ์
ผู้ผลิตINFINEON
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิตIRFZ44NPBF
รหัสสินค้า8650225
Product RangeHEXFET Series
เป็นที่รู้จักกันในชื่อSP001565354
หมายเลขชิ้นส่วนของคุณ
เอกสารข้อมูลทางเทคนิค
8,469 ในสต็อก
10,000 คุณสามารถจองสินค้าได้ทันที
4140 จัดส่งใน 1-2 วันทำการ(สิงคโปร์ สต็อก)
4329 จัดส่งใน 3-4 วันทำการ(อังกฤษ สต็อก)
| จำนวน | ราคา (ราคาสินค้าไม่รวม vat) |
|---|---|
| 1+ | THB46.090 |
| 10+ | THB21.720 |
| 100+ | THB19.570 |
| 500+ | THB15.330 |
| 1000+ | THB12.040 |
| 5000+ | THB11.540 |
ราคาสำหรับสินค้า:Each
ขั้นต่ำ: 1
หลายรายการ: 1
THB46.09
บันทึกของรายการ
เพิ่มไปยังใบยืนยันคำสั่งซื้อ ใบแจ้งหนี้ และใบจัดส่งสินค้าสำหรับคำสั่งซื้อนี้เท่านั้น
ข้อมูลผลิตภัณฑ์
ผู้ผลิตINFINEON
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิตIRFZ44NPBF
รหัสสินค้า8650225
Product RangeHEXFET Series
เป็นที่รู้จักกันในชื่อSP001565354
เอกสารข้อมูลทางเทคนิค
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds55V
Continuous Drain Current Id41A
Drain Source On State Resistance0.0175ohm
Transistor Case StyleTO-220AB
Transistor MountingThrough Hole
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max4V
Power Dissipation94W
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max175°C
Product RangeHEXFET Series
Qualification-
MSL-
SVHCNo SVHC (25-Jun-2025)
ภาพรวมของผลิตภัณฑ์
The IRFZ44NPBF is a N-channel HEXFET® Power MOSFET with extremely low on-resistance per silicon area and fast switching performance. This benefit, combined with the fast switching speed and ruggedized device design that HEXFET power MOSFETs are well known for, provides the designer with an extremely efficient and reliable device for use in a wide variety of applications.
- Dynamic dv/dt rating
- Fully avalanche rated
- Advanced process technology
การใช้งาน
Power Management
ข้อมูลจำเพาะทางเทคนิค
Channel Type
N Channel
Continuous Drain Current Id
41A
Transistor Case Style
TO-220AB
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation
94W
Operating Temperature Max
175°C
Qualification
-
SVHC
No SVHC (25-Jun-2025)
Drain Source Voltage Vds
55V
Drain Source On State Resistance
0.0175ohm
Transistor Mounting
Through Hole
Gate Source Threshold Voltage Max
4V
No. of Pins
3Pins
Product Range
HEXFET Series
MSL
-
เอกสารทางเทคนิค (3)
ตัวเลือกสำหรับ IRFZ44NPBF
พบผลิตภัณฑ์จำนวน1
ผลิตภัณฑ์ที่เกี่ยวข้อง
พบผลิตภัณฑ์จำนวน3
กฎหมายและปัจจัยแวดล้อม
ประเทศต้นกำเนิด:
ประเทศสุดท้ายที่ดำเนินกระบวนการผลิตที่สำคัญประเทศต้นกำเนิด:China
ประเทศสุดท้ายที่ดำเนินกระบวนการผลิตที่สำคัญ
ประเทศสุดท้ายที่ดำเนินกระบวนการผลิตที่สำคัญประเทศต้นกำเนิด:China
ประเทศสุดท้ายที่ดำเนินกระบวนการผลิตที่สำคัญ
หมายเลขพิกัดอัตราภาษี:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
เป็นไปตามข้อกำหนด RoHS:ใช่
RoHS
การใช้สารพาทาเลตตามระเบียบ RoHS:ใช่
RoHS
SVHC:No SVHC (25-Jun-2025)
ดาวน์โหลดหนังสือรับรองมาตรฐานของผลิตภัณฑ์
หนังสือรับรองมาตรฐานของผลิตภัณฑ์
น้ำหนัก (กก.):.002